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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC040N10NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC040N10NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC040N10NS5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 116A(Tc) 800mW(Ta),142W(Tc) 8-DSOP Advance
型号:
TPW4R008NH,L1Q
仓库库存编号:
TPW4R008NHL1QCT-ND
别名:TPW4R008NHL1QCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC040N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC040N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC040N08NS5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),100A(Tc) 3.7W(Ta),79W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C645NLAFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C645NLAFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),100A(Tc) 3.7W(Ta),79W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C645NLAFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C645NLAFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),100A(Tc) 3.7W(Ta),79W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C645NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C645NLT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),100A(Tc) 3.7W(Ta),79W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5C645NLT3G
仓库库存编号:
NTMFS5C645NLT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 22A(Ta),100A(Tc) 3.7W(Ta),79W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5C645NLT1G
仓库库存编号:
NTMFS5C645NLT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 132A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 132A(Tc) 150W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXTC240N055T
仓库库存编号:
IXTC240N055T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4
详细描述:通孔 N 沟道 55V 160A(Tc) 200W(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXTF280N055T
仓库库存编号:
IXTF280N055T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 250A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 75V 250A(Tc) 550W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH250N075T
仓库库存编号:
IXTH250N075T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 180A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 55V 180A(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ180N055T
仓库库存编号:
IXTQ180N055T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 250A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 75V 250A(Tc) 550W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ250N075T
仓库库存编号:
IXTQ250N075T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 250A(Tc) 550W(Tc) PLUS220
型号:
IXTV250N075T
仓库库存编号:
IXTV250N075T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 250A(Tc) 550W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXTV250N075TS
仓库库存编号:
IXTV250N075TS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 50A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 115W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS04N03LA G
仓库库存编号:
IPS04N03LA G-ND
别名:IPS04N03LAGX
SP000016330
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 115W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU04N03LA
仓库库存编号:
IPU04N03LA-ND
别名:SP000014621
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 50A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 115W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU04N03LA G
仓库库存编号:
IPU04N03LA G-ND
别名:IPU04N03LAGX
SP000017593
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 毫欧 @ 50A,10V,
无铅
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