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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF830APBF
仓库库存编号:
IRF830APBF-ND
别名:*IRF830APBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.4 欧姆 @ 3A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 74W(Tc)
型号:
IRF830ASTRLPBF
仓库库存编号:
IRF830ASTRLPBFCT-ND
别名:IRF830ASTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.4 欧姆 @ 3A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) I2PAK
型号:
IRF830ALPBF
仓库库存编号:
IRF830ALPBF-ND
别名:*IRF830ALPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.4 欧姆 @ 3A,10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 6A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK6A50D(STA4QM)-ND
别名:TK6A50D(STA4QM)
TK6A50DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.4 欧姆 @ 3A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF830A
仓库库存编号:
IRF830A-ND
别名:*IRF830A
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.4 欧姆 @ 3A,10V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH6N90A
仓库库存编号:
IXTH6N90A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.4 欧姆 @ 3A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 6A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH6N80A
仓库库存编号:
IXTH6N80A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.4 欧姆 @ 3A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF830AS
仓库库存编号:
IRF830AS-ND
别名:*IRF830AS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.4 欧姆 @ 3A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) I2PAK
型号:
IRF830AL
仓库库存编号:
IRF830AL-ND
别名:*IRF830AL
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.4 欧姆 @ 3A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF830ASTRL
仓库库存编号:
IRF830ASTRL-ND
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