产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5 毫欧 @ 80A,10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),80A(Tc) 245W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB050AN06A0
仓库库存编号:
FDB050AN06A0CT-ND
别名:FDB050AN06A0CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 115W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP052N06L3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP052N06L3GXKSA1-ND
别名:IPP052N06L3 G
IPP052N06L3 G-ND
SP000680802
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Ta),80A(Tc) 245W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP050AN06A0
仓库库存编号:
FDP050AN06A0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta) 254W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB8442_F085
仓库库存编号:
FDB8442_F085CT-ND
别名:FDB8442_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO220-3
详细描述:通孔 P 沟道 30V 80A(Tc) 137W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80P03P405AKSA1
仓库库存编号:
IPP80P03P405AKSA1-ND
别名:SP000396388
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2LH5AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S2LH5AKSA2-ND
别名:SP001063648
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO262-3
详细描述:通孔 P 沟道 30V 80A(Tc) 137W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80P03P405AKSA1
仓库库存编号:
IPI80P03P405AKSA1-ND
别名:SP000396316
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-H5
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-H5-ND
别名:SP000013796
SPB80N06S2LH5T
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5 毫欧 @ 80A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N06S2-05
仓库库存编号:
SPP100N06S2-05-ND
别名:SP000013720
SPP100N06S205
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5 毫欧 @ 80A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2L-H5
仓库库存编号:
SPP80N06S2L-H5-ND
别名:SP000014001
SPP80N06S2LH5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5 毫欧 @ 80A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N06S205AKSA1
仓库库存编号:
IPP100N06S205AKSA1-ND
别名:IPP100N06S2-05
IPP100N06S2-05-ND
SP000218872
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2LH5AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S2LH5AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2L-H5
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SP000219067
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N06S205AKSA2
仓库库存编号:
IPP100N06S205AKSA2-ND
别名:SP001067938
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5 毫欧 @ 80A,10V,
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