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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta),90A(Tc) 310W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB045AN08A0
仓库库存编号:
FDB045AN08A0CT-ND
别名:FDB045AN08A0CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4.5 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta) 310W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB045AN08A0_F085
仓库库存编号:
FDB045AN08A0_F085CT-ND
别名:FDB045AN08A0_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4.5 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET NCH 80V 80A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 214W(Tj) Power56
型号:
FDWS86368_F085
仓库库存编号:
FDWS86368_F085CT-ND
别名:FDWS86368_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4.5 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 214W(Tc) Power56
型号:
FDMS86368_F085
仓库库存编号:
FDMS86368_F085CT-ND
别名:FDMS86368_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4.5 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 115W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S3H4ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N04S3H4ATMA1TR-ND
别名:IPB80N04S3-H4
IPB80N04S3-H4-ND
SP000415564
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4.5 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-05
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-05-ND
别名:SP000016352
SPB80N06S2L05T
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4.5 毫欧 @ 80A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L05ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S2L05ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S2L-05
IPB80N06S2L-05-ND
SP000219004
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4.5 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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