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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB015N04L G
  仓库库存编号：IPB015N04L GCT-ND
  别名：IPB015N04L GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.5 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP015N04NGXKSA1
  仓库库存编号：IPP015N04NGXKSA1-ND
  别名：IPP015N04N G
  IPP015N04N G-ND
  IPP015N04NG
  SP000680760
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.5 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB015N04N G
  仓库库存编号：IPB015N04N GCT-ND
  别名：IPB015N04N GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.5 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB120N04S401ATMA1
  仓库库存编号：IPB120N04S401ATMA1CT-ND
  别名：IPB120N04S401ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.5 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 375W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB015N08N5ATMA1
  仓库库存编号：IPB015N08N5ATMA1CT-ND
  别名：IPB015N08N5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.5 毫欧 @ 100A，10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 600A（Tc） 1250W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX600N04T2
  仓库库存编号：IXTX600N04T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.5 毫欧 @ 100A，10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 600A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 600A（Tc） 1250W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK600N04T2
  仓库库存编号：IXTK600N04T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.5 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB160N04S4LH1ATMA1
  仓库库存编号：IPB160N04S4LH1ATMA1-ND
  别名：SP000979640
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.5 毫欧 @ 100A，10V,
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