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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP191NQ06LT,127
仓库库存编号:
1727-4639-ND
别名:1727-4639
568-5756
568-5756-5
568-5756-5-ND
568-5756-ND
934058544127
PHP191NQ06LT
PHP191NQ06LT,127-ND
PHP191NQ06LT-ND
PHP191NQ06LT127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.7 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 147W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y4R4-40E,115
仓库库存编号:
1727-1502-1-ND
别名:1727-1502-1
568-10982-1
568-10982-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.7 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
PHB191NQ06LT,118
仓库库存编号:
1727-3055-1-ND
别名:1727-3055-1
568-2188-1
568-2188-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.7 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK964R2-55B,118
仓库库存编号:
1727-5264-1-ND
别名:1727-5264-1
568-6589-1
568-6589-1-ND
BUK964R255B118
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.7 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Ta) 30W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2099H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2099H-EL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.7 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK954R2-55B,127
仓库库存编号:
568-6635-5-ND
别名:568-6635
568-6635-5
568-6635-ND
934057092127
BUK954R2-55B
BUK954R2-55B,127-ND
BUK954R2-55B-ND
BUK954R255B127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.7 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7856ADP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7856ADP-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.7 毫欧 @ 25A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7856ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7856ADP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.7 毫欧 @ 25A,10V,
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