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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta),80A(Tc) 310W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP3632
仓库库存编号:
FDP3632-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta),80A(Tc) 310W(Tc) TO-247
型号:
FDH3632
仓库库存编号:
FDH3632FS-ND
别名:FDH3632-ND
FDH3632FS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),80A(Tc) 310W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB3632
仓库库存编号:
FDB3632CT-ND
别名:FDB3632CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 310W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB3632_F085
仓库库存编号:
FDB3632_F085CT-ND
别名:FDB3632_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 160A(Tc) 880W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH160N15T2
仓库库存编号:
IXFH160N15T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 80A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Ta),80A(Tc) 310W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FDI3632
仓库库存编号:
FDI3632FS-ND
别名:FDI3632-ND
FDI3632FS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 80A,10V,
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