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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 280W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP3206PBF
仓库库存编号:
IRFP3206PBF-ND
别名:SP001578056
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 75A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3206PBF
仓库库存编号:
IRFB3206PBF-ND
别名:64-0088PBF
64-0088PBF-ND
SP001566480
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 75A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS3206TRRPBF
仓库库存编号:
IRFS3206TRRPBFCT-ND
别名:IRFS3206TRRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 75A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3206GPBF
仓库库存编号:
IRFB3206GPBF-ND
别名:SP001565784
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 75A,10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A PWRFLAT 5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 130W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STLD125N4F6AG
仓库库存编号:
497-17147-1-ND
别名:497-17147-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 75A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 220A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 220A(Tc) 283W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP5860NG
仓库库存编号:
NTP5860NG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 75A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 300W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3206PBF
仓库库存编号:
IRFSL3206PBF-ND
别名:SP001578476
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 75A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 220A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 220A(Tc) 283W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP5860NLG
仓库库存编号:
NTP5860NLG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 75A,10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 220A(Tc) 283W(Tc) D2PAK-3
型号:
NVB5860NT4G
仓库库存编号:
NVB5860NT4G-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 210A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS3206TRL
仓库库存编号:
AUIRFS3206TRLCT-ND
别名:AUIRFS3206TRLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 75A,10V,
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