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  GAN FET 600V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 65W（Tc） TO-220
  
  型号：TPH3202PS
  仓库库存编号：TPH3202PS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 350 毫欧 @ 5.5A，8V,
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  GAN FET 600V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 65W（Tc） TO-220
  
  型号：TPH3202PD
  仓库库存编号：TPH3202PD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 350 毫欧 @ 5.5A，8V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
  
  型号：NTP8G202NG
  仓库库存编号：NTP8G202NGOS-ND
  别名：NTP8G202NGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 350 毫欧 @ 5.5A，8V,
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  GAN FET 600V 9A PQFN88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 65W（Tc） PQFN（8x8）
  
  型号：TPH3202LS
  仓库库存编号：TPH3202LS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 350 毫欧 @ 5.5A，8V,
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  GAN FET 600V 9A PQFN88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 65W（Tc） PQFN（8x8）
  
  型号：TPH3202LD
  仓库库存编号：TPH3202LD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 350 毫欧 @ 5.5A，8V,
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