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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 400A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 400A（Tc） 1000W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH400N075T2
  仓库库存编号：IXFH400N075T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.3 毫欧 @ 100A，10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 80V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 375W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD19506KCS
  仓库库存编号：296-37169-5-ND
  别名：296-37169-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.3 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 163W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS8405
  仓库库存编号：AUIRFS8405-ND
  别名：IRAUIRFS8405
  IRAUIRFS8405-ND
  SP001522864
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.3 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP023N10N5AKSA1
  仓库库存编号：IPP023N10N5AKSA1-ND
  别名：SP001120504
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.3 毫欧 @ 100A，10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 375W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD19506KTT
  仓库库存编号：CSD19506KTT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.3 毫欧 @ 100A，10V,
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• Texas Instruments
  IC MOSFET N-CH 80V TO-220
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 375W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD19506KTTT
  仓库库存编号：CSD19506KTTT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.3 毫欧 @ 100A，10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 400A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 400A（Tc） 1000W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT400N075T2
  仓库库存编号：IXFT400N075T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.3 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 163W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS8405TRL
  仓库库存编号：IFAUIRFS8405TRL-ND
  别名：IFAUIRFS8405TRL
  SP001517524
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.3 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 163W（Tc） TO-262
  
  型号：AUIRFSL8405
  仓库库存编号：IRAUIRFSL8405-ND
  别名：IRAUIRFSL8405
  SP001522846
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.3 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP023N08N5AKSA1
  仓库库存编号：IPP023N08N5AKSA1-ND
  别名：SP001132482
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.3 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 120A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 300W（Tc）
  
  型号：IPP023NE7N3 G
  仓库库存编号：IPP023NE7N3 GCT-ND
  别名：IPP023NE7N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.3 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI023NE7N3 G
  仓库库存编号：IPI023NE7N3 G-ND
  别名：IPI023NE7N3G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.3 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 140A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB023N06N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB023N06N3GATMA1CT-ND
  别名：IPB023N06N3 GCT
  IPB023N06N3 GCT-ND
  IPB023N06N3G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.3 毫欧 @ 100A，10V,
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