以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 417W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW90R120C3
  仓库库存编号：IPW90R120C3-ND
  别名：IPW90R120C3FKSA1
  IPW90R120C3XK
  Q4173182
  SP000413750
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 120 毫欧 @ 26A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 52A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 960W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH52N50P2
  仓库库存编号：IXFH52N50P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 120 毫欧 @ 26A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 52A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Tc） 960W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT52N50P2
  仓库库存编号：IXFT52N50P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 120 毫欧 @ 26A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 52A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 960W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ480P2
  仓库库存编号：IXTQ480P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 120 毫欧 @ 26A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT33N90JCU2
  仓库库存编号：APT33N90JCU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 120 毫欧 @ 26A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT33N90JCU3
  仓库库存编号：APT33N90JCU3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 120 毫欧 @ 26A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT33N90JCCU2
  仓库库存编号：APT33N90JCCU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 120 毫欧 @ 26A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC90H12T1G
  仓库库存编号：APTC90H12T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 120 毫欧 @ 26A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTC90H12SCTG
  仓库库存编号：APTC90H12SCTG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 120 毫欧 @ 26A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 900V 30A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC90DDA12T1G
  仓库库存编号：APTC90DDA12T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 120 毫欧 @ 26A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1
  详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 900V 30A 250W Chassis Mount SP1
  
  型号：APTC90DSK12T1G
  仓库库存编号：APTC90DSK12T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 120 毫欧 @ 26A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 30A 250W Chassis Mount SP2
  
  型号：APTC90H12T2G
  仓库库存编号：APTC90H12T2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 120 毫欧 @ 26A，10V,
• 无铅
• 搜索