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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），44A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC100N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC100N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC100N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC100N03MSGINCT
  BSC100N03MSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 12.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 12.2A（Ta），70A（Tc） 3W（Ta），100W（Tc） DPAK
  
  型号：STD5406NT4G-VF01
  仓库库存编号：STD5406NT4G-VF01OSCT-ND
  别名：STD5406NT4G-VF01OSCT
  STD5406NT4GOSCT
  STD5406NT4GOSCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 30A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 60A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP60NF03L
  仓库库存编号：497-12616-5-ND
  别名：497-12616-5
  STP60NF03L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 54A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），54A（Tc） 1.4W（Ta），50W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD4810NT4G-VF01
  仓库库存编号：NVD4810NT4G-VF01-ND
  别名：NVD4810NT4G
  NVD4810NT4G-ND
  NVD5862NT4G-VF01
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N03S2L10ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N03S2L10ATMA1TR-ND
  别名：IPD30N03S2L-10
  IPD30N03S2L-10-ND
  SP000254465
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 9A（Ta），54A（Tc） 1.4W（Ta），50W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4810N-1G
  仓库库存编号：NTD4810N-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 9A（Ta），54A（Tc） 1.4W（Ta），50W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4810N-35G
  仓库库存编号：NTD4810N-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 70A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 12.2A（Ta），70A（Tc） 3W（Ta），100W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD5406NG
  仓库库存编号：NTD5406NG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 70A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 12.2A（Ta），70A（Tc） 3W（Ta），100W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD5406NT4G
  仓库库存编号：NTD5406NT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 9A（Ta），54A（Tc） 1.28W（Ta），50W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4810NH-1G
  仓库库存编号：NTD4810NH-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 9A（Ta），54A（Tc） 1.28W（Ta），50W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4810NH-35G
  仓库库存编号：NTD4810NH-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta），54A（Tc） 1.28W（Ta），50W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4810NHT4G
  仓库库存编号：NTD4810NHT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 30A，10V,
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  MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta），54A（Tc） 1.4W（Ta），50W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4810NT4G
  仓库库存编号：NTD4810NT4GOSCT-ND
  别名：NTD4810NT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 82W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：SPU30N03S2L-10
  仓库库存编号：SPU30N03S2L-10IN-ND
  别名：SP000013467
  SPU30N03S2L-10IN
  SPU30N03S2L-10XTIN
  SPU30N03S2L-10XTIN-ND
  SPU30N03S2L10X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30N03S2L-10
  仓库库存编号：SPD30N03S2L10INCT-ND
  别名：SPD30N03S2L10
  SPD30N03S2L10INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30N03S2L10T
  仓库库存编号：SPD30N03S2L10T-ND
  别名：SP000016254
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 30A，10V,
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  MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），44A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC100N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC100N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC100N03LSGINCT
  BSC100N03LSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30N03S2L10GBTMA1
  仓库库存编号：SPD30N03S2L10GBTMA1TR-ND
  别名：SP000443918
  SPD30N03S2L-10 G
  SPD30N03S2L-10 G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 10 毫欧 @ 30A，10V,
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