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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC030N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC030N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC030N03LS GCT
  BSC030N03LS GCT-ND
  BSC030N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC030N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC030N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC030N03MSG+F30INCT
  BSC030N03MSG+F30INCT-ND
  BSC030N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC030N03MSGINCT
  BSC030N03MSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 30A，10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），75A（Tc） 2.2W（Ta），28W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSF030NE2LQ
  仓库库存编号：BSF030NE2LQCT-ND
  别名：BSF030NE2LQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 30A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SQM40031EL_GE3
  仓库库存编号：SQM40031EL_GE3CT-ND
  别名：SQM40031EL_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），130A（Tc） 900mW（Ta），86.2W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4834NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4834NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4834NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 22A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta），88A（Tc） 2.5W（Ta），36W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0503NSIATMA1
  仓库库存编号：BSC0503NSIATMA1-ND
  别名：SP001288144
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13.2A（Ta），117A（Tc） 930mW（Ta），73.5W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4898NFT1G
  仓库库存编号：NTMFS4898NFT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4898NFT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3 毫欧 @ 30A，10V,
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