产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12.5 毫欧 @ 15A,10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3708TRPBFCT-ND
别名:IRFR3708TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707S
仓库库存编号:
IRF3707S-ND
别名:*IRF3707S
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12.5 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) TO-262
型号:
IRF3707L
仓库库存编号:
IRF3707L-ND
别名:*IRF3707L
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12.5 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3707
仓库库存编号:
IRF3707-ND
别名:*IRF3707
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12.5 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707STRL
仓库库存编号:
IRF3707STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12.5 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707STRR
仓库库存编号:
IRF3707STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12.5 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3708
仓库库存编号:
IRFU3708-ND
别名:*IRFU3708
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12.5 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708
仓库库存编号:
IRFR3708-ND
别名:*IRFR3708
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12.5 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708TR
仓库库存编号:
IRFR3708TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12.5 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708TRL
仓库库存编号:
IRFR3708TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12.5 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 61A(Tc) 87W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3708TRR
仓库库存编号:
IRFR3708TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12.5 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3707PBF
仓库库存编号:
IRF3707PBF-ND
别名:*IRF3707PBF
SP001571254
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) TO-262
型号:
IRF3707LPBF
仓库库存编号:
IRF3707LPBF-ND
别名:*IRF3707LPBF
SP001569952
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707SPBF
仓库库存编号:
IRF3707SPBF-ND
别名:*IRF3707SPBF
SP001574646
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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型号:
IRFU3708PBF
仓库库存编号:
IRFU3708PBF-ND
别名:*IRFU3708PBF
SP001573620
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707STRRPBF
仓库库存编号:
IRF3707STRRPBF-ND
别名:SP001564624
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12.5 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3707STRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12.5 毫欧 @ 15A,10V,
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