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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1010EZSTRLP
仓库库存编号:
IRF1010EZSTRLPCT-ND
别名:IRF1010EZSTRLPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 51A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1010EZPBF
仓库库存编号:
IRF1010EZPBF-ND
别名:*IRF1010EZPBF
SP001571244
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 51A,10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 75A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF1010EZSTRL
仓库库存编号:
AUIRF1010EZSTRL-ND
别名:SP001520896
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 51A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 75A(Tc) 140W(Tc) TO-262
型号:
IRF1010EZL
仓库库存编号:
IRF1010EZL-ND
别名:*IRF1010EZL
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 51A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 75A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1010EZS
仓库库存编号:
IRF1010EZS-ND
别名:*IRF1010EZS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 51A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 75A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1010EZ
仓库库存编号:
IRF1010EZ-ND
别名:*IRF1010EZ
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 51A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 75A(Tc) 140W(Tc) TO-262
型号:
IRF1010EZLPBF
仓库库存编号:
IRF1010EZLPBF-ND
别名:*IRF1010EZLPBF
SP001574512
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 51A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 75A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF1010EZS
仓库库存编号:
AUIRF1010EZS-ND
别名:SP001516450
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.5 毫欧 @ 51A,10V,
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