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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI038AN06A0
  仓库库存编号：FDI038AN06A0-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），63A（Tc） 3.3W（Ta），136W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86255ET150
  仓库库存编号：FDMS86255ET150CT-ND
  别名：FDMS86255ET150CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP028N08N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP028N08N3GXKSA1-ND
  别名：IPP028N08N3 G
  IPP028N08N3 G-ND
  IPP028N08N3G
  SP000680766
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB045AN08A0_F085
  仓库库存编号：FDB045AN08A0_F085CT-ND
  别名：FDB045AN08A0_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP030N10N5AKSA1
  仓库库存编号：IPP030N10N5AKSA1-ND
  别名：SP001227032
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP020N08N5AKSA1
  仓库库存编号：IPP020N08N5AKSA1-ND
  别名：SP001132480
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 460A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 460A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：FDB0105N407L
  仓库库存编号：FDB0105N407LCT-ND
  别名：FDB0105N407LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 3.8W（Ta）, 250W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：FDB0300N1007L
  仓库库存编号：FDB0300N1007LCT-ND
  别名：FDB0300N1007LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 13A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），72A（Tc） 3.2W（Ta），113W（Tc） 8-Dual Cool?88
  
  型号：FDMT800152DC
  仓库库存编号：FDMT800152DCCT-ND
  别名：FDMT800152DCCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 15A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），99A（Tc） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-Dual Cool?88
  
  型号：FDMT800150DC
  仓库库存编号：FDMT800150DCCT-ND
  别名：FDMT800150DCCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 24A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），162A（Tc） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-Dual Cool?88
  
  型号：FDMT800100DC
  仓库库存编号：FDMT800100DCCT-ND
  别名：FDMT800100DCCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Ta），80A（Tc） 450W（Tc） TO-247
  
  型号：FDH038AN08A1
  仓库库存编号：FDH038AN08A1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta），39.5A（Tc） 2.1W（Ta），40W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ180P03NS3EGATMA1
  仓库库存编号：BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND
  别名：BSZ180P03NS3EGATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），52W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ120P03NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ120P03NS3GATMA1CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 2.1W（Ta），36W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ100N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSZ100N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSZ100N06NSATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 45A
  详细描述：N 沟道 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD135N08N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD135N08N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD135N08N3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MV POWER MOS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GATMA1TR-ND
  别名：IPD180N10N3GATMA1-ND
  IPD180N10N3GATMA1TR
  SP000900132
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MV POWER MOS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD180N10N3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MV POWER MOS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GATMA1DKR-ND
  别名：IPD180N10N3GATMA1DKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 50W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ110N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSZ110N08NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSZ110N08NS5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 73A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 73A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD096N08N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD096N08N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD096N08N3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 64A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 2.5W（Ta），46W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC066N06NSATMA1
  仓库库存编号：BSC066N06NSATMA1CT-ND
  别名：BSC066N06NSATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 56A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 99W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR7746TRPBF
  仓库库存编号：IRFR7746TRPBFCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 85A 6-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 83W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7545TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7545TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7545TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 17.7A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC060P03NS3E G
  仓库库存编号：BSC060P03NS3E GCT-ND
  别名：BSC060P03NS3E GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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