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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），83A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB056N10NN3GXUMA1
  仓库库存编号：BSB056N10NN3GXUMA1CT-ND
  别名：BSB056N10NN3 GCT
  BSB056N10NN3 GCT-ND
  BSB056N10NN3GXUMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 294W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：IRFS7534TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS7534TRLPBFCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRFS7430TRL7PP
  仓库库存编号：IRFS7430TRL7PPCT-ND
  别名：IRFS7430TRL7PPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB031N08N5ATMA1
  仓库库存编号：IPB031N08N5ATMA1CT-ND
  别名：IPB031N08N5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB7430GPBF
  仓库库存编号：IRFB7430GPBF-ND
  别名：SP001554620
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB027N10N5ATMA1
  仓库库存编号：IPB027N10N5ATMA1CT-ND
  别名：IPB027N10N5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 700mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN10A07FTA
  仓库库存编号：ZXMN10A07FCT-ND
  别名：ZXMN10A07FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN5630
  仓库库存编号：FDN5630CT-ND
  别名：FDN5630_F095CT
  FDN5630_F095CT-ND
  FDN5630CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26
  
  型号：ZXMN10A08E6TA
  仓库库存编号：ZXMN10A08E6CT-ND
  别名：ZXMN10A08E6CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 7.7A SC70-6L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA446DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA446DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA446DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 50 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 3.2W（Ta），63W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD19534Q5A
  仓库库存编号：296-43636-1-ND
  别名：296-43636-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4848DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4848DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4848DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7370DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7370DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7370DP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 100V 9A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），43A（Tc） 2.3W（Ta），54W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC86160
  仓库库存编号：FDMC86160CT-ND
  别名：FDMC86160CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7450DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7450DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7450DP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7450DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7450DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7450DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 150V 22A POWER 56
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.4A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86263P
  仓库库存编号：FDMS86263PCT-ND
  别名：FDMS86263PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 80V SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2337ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2337ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2337ES-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 150V 1A 6-MLP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA86265P
  仓库库存编号：FDMA86265PCT-ND
  别名：FDMA86265PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN8601
  仓库库存编号：FDN8601CT-ND
  别名：FDN8601CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR7440TRPBF
  仓库库存编号：IRFR7440TRPBFCT-ND
  别名：IRFR7440TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ160N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ160N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSZ160N10NS3 GINCT
  BSZ160N10NS3 GINCT-ND
  BSZ160N10NS3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Tc） 2.5W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4100DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4100DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4100DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），96W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD19533Q5A
  仓库库存编号：296-37479-1-ND
  别名：296-37479-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19.7A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4090DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4090DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4090DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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