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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 200A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 300W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD19535KTT
  仓库库存编号：296-45538-1-ND
  别名：296-45538-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 75V 140A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21.5A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），500W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB270L
  仓库库存编号：785-1472-1-ND
  别名：785-1472-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 120V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta），102A（Tc） 3.3W（Ta），187W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86202ET120
  仓库库存编号：FDMS86202ET120CT-ND
  别名：FDMS86202ET120CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ456EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ456EP-T1_GE3-ND
  别名：SQJ456EP-T1-GE3
  SQJ456EP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MV8 40V NCH DUAL COOL POWERTRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 420A（Tc） 156W（Tc） 8-PQFN（8x8）
  
  型号：FDMT80040DC
  仓库库存编号：FDMT80040DC-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB-3
  详细描述：通孔 N 沟道 310W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP047AN08A0_F102
  仓库库存编号：FDP047AN08A0_F102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  60V 80A 3.8 OHMS NCH POWER TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP038AN06A0_F102
  仓库库存编号：FDP038AN06A0_F102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 16A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），104A（Tc） 3.3W（Ta），138W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS6B05NT1G
  仓库库存编号：NTMFS6B05NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS6B05NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 200A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 375W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD19536KTT
  仓库库存编号：CSD19536KTT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 375W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD19506KTT
  仓库库存编号：CSD19506KTT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 375W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB015N08N5ATMA1
  仓库库存编号：IPB015N08N5ATMA1CT-ND
  别名：IPB015N08N5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Texas Instruments
  IC MOSFET N-CH 80V TO-220
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 375W（Tc） DDPAK/TO-263-3
  
  型号：CSD19506KTTT
  仓库库存编号：CSD19506KTTT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9A（Ta），39.6A（Tc） 2.1W（Ta），40W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ180P03NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ180P03NS3GATMA1TR-ND
  别名：BSZ180P03NS3 G
  BSZ180P03NS3 G-ND
  SP000709744
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），52W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ120P03NS3EGATMA1
  仓库库存编号：BSZ120P03NS3EGATMA1TR-ND
  别名：BSZ120P03NS3E G
  BSZ120P03NS3E G-ND
  SP000709730
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 18A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.3A（Ta），18A（Tc） 29W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC440N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC440N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC440N10NS3 GCT
  BSC440N10NS3 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12A（Ta） 1.6W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO080P03NS3EGXUMA1
  仓库库存编号：BSO080P03NS3EGXUMA1CT-ND
  别名：BSO080P03NS3E GCT
  BSO080P03NS3E GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12A（Ta） 1.6W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO080P03NS3GXUMA1
  仓库库存编号：BSO080P03NS3GXUMA1CT-ND
  别名：BSO080P03NS3 GCT
  BSO080P03NS3 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 14.9A（Ta），78.6A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC084P03NS3EGATMA1
  仓库库存编号：BSC084P03NS3EGATMA1TR-ND
  别名：BSC084P03NS3E G
  BSC084P03NS3E G-ND
  BSC084P03NS3E GTR-ND
  SP000473012
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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  MOSFET N-CH 60V 90A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR7540TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR7540TRLPBF-ND
  别名：SP001565094
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 40A（Tc） 63W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ084N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSZ084N08NS5ATMA1-ND
  别名：SP001227056
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 68A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 68A（Tc） 83W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7787TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7787TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7787TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 135A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 135A（Tc） 74W（Tc） DirectFET? 等容 MF
  
  型号：IRF7483MTRPBF
  仓库库存编号：IRF7483MTRPBFCT-ND
  别名：IRF7483MTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9A（Ta），40A（Tc） 2.2W（Ta），43W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSF134N10NJ3 G
  仓库库存编号：BSF134N10NJ3 GCT-ND
  别名：BSF134N10NJ3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 82A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 82A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC061N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC061N08NS5ATMA1-ND
  别名：SP001232634
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD033N06NATMA1
  仓库库存编号：IPD033N06NATMA1-ND
  别名：SP001602182
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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