产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 105V 40A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 105V 40A(Tc) 100W(Tc) TO-220
型号:
AOT404
仓库库存编号:
785-1144-2-ND
别名:785-1144-2
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 7.2A(Ta),44A(Tc) 120W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB3672
仓库库存编号:
FDB3672-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 3A 6-SSOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 3A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC3512_F095
仓库库存编号:
FDC3512_F095-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 40A(Tc) 65W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP5680
仓库库存编号:
FDP5680-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 6.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS3670
仓库库存编号:
FDS3670-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 5.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS3680
仓库库存编号:
FDS3680-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1.24A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7802DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7802DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7802DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 380mA(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2327DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2327DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2327DS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 950mA(Tc) 2W(Ta),3.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3475DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3475DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3475DV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 1.3A(Tc) 2.2W(Ta),4.6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4409DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4409DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4409DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.3A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4418DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4418DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4418DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 9A(Ta) 1.85W(Ta) 8-SO
型号:
SI4470EY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4470EY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4470EY-T1-GE3CT
SI4470EYT1GE3
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.8A(Ta) 1.8W(Ta) 8-SO
型号:
SI4484EY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4484EY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4484EY-T1-GE3CT
SI4484EYT1GE3
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7462DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7462DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7462DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 3.8A(Tc) 2.4W(Ta),4.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4102DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4102DY-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 1.3A(Tc) 2.2W(Ta),4.6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4409DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4409DY-T1-E3-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.15A(Ta) 1.3W(Ta) 8-SO
型号:
SI4462DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4462DY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.4A(Ta) 1.8W(Ta) 8-SO
型号:
SI4486EY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4486EY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 5.4W(Ta),96W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7138DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7138DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 28A(Tc) 5.2W(Ta),83.3W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7457DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7457DP-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 28A(Tc) 5.2W(Ta),83.3W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7457DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7457DP-T1-GE3-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 37A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 37A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(SH)
型号:
SIE804DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE804DF-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.9A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.9A(Ta),20A(Tc) 2.5W(Ta),56W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N10-34P-T4-E3
仓库库存编号:
SUD50N10-34P-T4-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 150V 18A(Tc) 88W(Tc) TO-220-3
型号:
SUP18N15-95-E3
仓库库存编号:
SUP18N15-95-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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MOSFET N-CH 150V 28A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150V 28A(Tc) 3.75W(Ta),120W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP28N15-52-E3
仓库库存编号:
SUP28N15-52-E3-ND
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