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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 38.5A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 38.5A（Tc） 3.1W（Ta），89W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP40N10-30-GE3
  仓库库存编号：SUP40N10-30-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 20A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），333W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB262L
  仓库库存编号：785-1326-2-ND
  别名：785-1326-2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 19A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 19A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），333W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB264L
  仓库库存编号：785-1327-1-ND
  别名：785-1327-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 220V 7.3A 8HVSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 220V 7.3A（Tc） 50W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
  
  型号：PML340SN,118
  仓库库存编号：1727-7221-1-ND
  别名：1727-7221-1
  568-9717-1
  568-9717-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 75V 85A DFN5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 31.5A（Ta），85A（Tc） 7.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6270
  仓库库存编号：785-1494-1-ND
  别名：785-1494-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 40A（Tc） 3.75W（Ta），107W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP40N10-30-E3
  仓库库存编号：SUP40N10-30-E3-ND
  别名：SUP40N10-30-E3CT
  SUP40N10-30-E3CT-ND
  SUP40N1030E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 9.9A（Ta），50A（Tc） 115W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD13AN06A0_F085
  仓库库存编号：FDD13AN06A0_F085-5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 17.5A/85A
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 17.5A（Ta），85A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF262L
  仓库库存编号：785-1714-5-ND
  别名：785-1714-5
  AOTF262L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 10.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.5A（Ta），70A（Tc） 2.7W（Ta），125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD2904
  仓库库存编号：785-1736-1-ND
  别名：785-1736-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 16.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 16.7A（Tc） 3.75W（Ta）, 88.2W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM25P10-138-E3
  仓库库存编号：SUM25P10-138-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 16.3A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 16.3A（Tc） 3.1W（Ta）, 73.5W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP25P10-138-GE3
  仓库库存编号：SUP25P10-138-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD068N10N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD068N10N3GBTMA1TR-ND
  别名：IPD068N10N3 G
  IPD068N10N3 G-ND
  SP000469892
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD082N10N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD082N10N3GBTMA1TR-ND
  别名：IPD082N10N3 G
  IPD082N10N3 G-ND
  SP000485986
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 73A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD096N08N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD096N08N3GBTMA1TR-ND
  别名：IPD096N08N3 G
  IPD096N08N3 G-ND
  SP000474196
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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  MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD135N08N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD135N08N3GBTMA1TR-ND
  别名：IPD135N08N3 G
  IPD135N08N3 G-ND
  SP000454266
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI028N08N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI028N08N3GHKSA1-ND
  别名：IPI028N08N3 G
  IPI028N08N3 G-ND
  SP000395160
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI030N10N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI030N10N3GHKSA1-ND
  别名：IPI030N10N3 G
  IPI030N10N3 G-ND
  SP000469884
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI037N08N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI037N08N3GHKSA1-ND
  别名：IPI037N08N3 G
  IPI037N08N3 G-ND
  SP000454278
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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  MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI057N08N3 G
  仓库库存编号：IPI057N08N3 G-ND
  别名：SP000395182
  SP000680662
  
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  MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI070N08N3 G
  仓库库存编号：IPI070N08N3 G-ND
  别名：SP000454290
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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  MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI100N08N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI100N08N3GHKSA1-ND
  别名：IPI100N08N3 G
  IPI100N08N3 G-ND
  SP000474192
  SP000680710
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI139N08N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI139N08N3GHKSA1-ND
  别名：IPI139N08N3 G
  IPI139N08N3 G-ND
  SP000457714
  SP000680716
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP070N08N3 G
  仓库库存编号：IPP070N08N3 G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP139N08N3 G
  仓库库存编号：IPP139N08N3 G-ND
  别名：IPP139N08N3G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU103N08N3 G
  仓库库存编号：IPU103N08N3 G-ND
  别名：SP000521640
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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