产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 2.8A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Ta),14A(Tc) 2.5W(Ta),78W(Tc) Power56
型号:
FDMS2734
仓库库存编号:
FDMS2734CT-ND
别名:FDMS2734CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 100V 16A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),60A(Tc) 2.7W(Ta),156W(Tc) Power56
型号:
FDMS86150
仓库库存编号:
FDMS86150CT-ND
别名:FDMS86150CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 3.75W(Ta),150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM60N10-17-E3
仓库库存编号:
SUM60N10-17-E3CT-ND
别名:SUM60N10-17-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.5A(Ta),60A(Tc) 3.2W(Ta),125W(Tc) Dual Cool?56
型号:
FDMS86101DC
仓库库存编号:
FDMS86101DCCT-ND
别名:FDMS86101DCCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 8-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta),45A(Tc) 2.7W(Ta),113W(Tc) Power56
型号:
FDMS86255
仓库库存编号:
FDMS86255CT-ND
别名:FDMS86255CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 150V 11.5A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.5A(Ta),152A(Tc) 2.1W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB2500L
仓库库存编号:
785-1659-1-ND
别名:785-1659-1
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7439DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7439DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7439DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7431DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7431DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7431DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7431DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7431DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7431DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),80A(Tc) 310W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB035AN06A0
仓库库存编号:
FDB035AN06A0CT-ND
别名:FDB035AN06A0CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 150V 152A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 11.5A(Ta),152A(Tc) 2.1W(Ta),375W(Tc) TO-220
型号:
AOT2500L
仓库库存编号:
785-1650-5-ND
别名:785-1650-5
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Ta) 375W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD19536KTTT
仓库库存编号:
296-41136-1-ND
别名:296-41136-1
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Ta) 375W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD19536KCS
仓库库存编号:
296-37289-5-ND
别名:296-37289-5
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 700mA(Ta) 400mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN10H700S-7
仓库库存编号:
DMN10H700S-7DICT-ND
别名:DMN10H700S-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta),23A(Tc) 2.1W(Ta),32W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ340N08NS3 G
仓库库存编号:
BSZ340N08NS3GINCT-ND
别名:BSZ340N08NS3GINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),23A(Tc) 2.5W(Ta),32W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC340N08NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC340N08NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC340N08NS3 GCT
BSC340N08NS3 GCT-ND
BSC340N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 1.5W(Ta) SOT-89-3
型号:
ZXMN10A07ZTA
仓库库存编号:
ZXMN10A07ZCT-ND
别名:ZXMN10A07ZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Ta),18A(Tc) 29W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ440N10NS3 G
仓库库存编号:
BSZ440N10NS3 GINCT-ND
别名:BSZ440N10NS3 GINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.3A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-26
型号:
ZXMP10A17E6QTA
仓库库存编号:
ZXMP10A17E6QTADICT-ND
别名:ZXMP10A17E6QTADICT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Tc) 2.5W(Ta),36W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC097N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSC097N06NSATMA1CT-ND
别名:BSC097N06NSATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 3A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC3512
仓库库存编号:
FDC3512CT-ND
别名:FDC3512CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.8A(Ta),16.5A(Tc) 2.5W(Ta),31W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS8622
仓库库存编号:
FDMS8622CT-ND
别名:FDMS8622CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 13.5A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ086P03NS3E G
仓库库存编号:
BSZ086P03NS3E GCT-ND
别名:BSZ086P03NS3E GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 13.5A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ086P03NS3 G
仓库库存编号:
BSZ086P03NS3 GCT-ND
别名:BSZ086P03NS3 GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 1.6A 3SSOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 1.5W(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN86246
仓库库存编号:
FDN86246CT-ND
别名:FDN86246CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V,
无铅
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