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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），55A（Tc） 2.5W（Ta），66W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC123N08NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC123N08NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC123N08NS3 GCT
  BSC123N08NS3 GCT-ND
  BSC123N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），42A（Tc） 60W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC160N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC160N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC160N10NS3 GINCT
  BSC160N10NS3 GINCT-ND
  BSC160N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7119DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7119DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7119DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Tc） 760mW（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2337DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2337DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2337DS-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS3692
  仓库库存编号：FDS3692CT-ND
  别名：FDS3692CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4464DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4464DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4464DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），66W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ123N08NS3 G
  仓库库存编号：BSZ123N08NS3GINCT-ND
  别名：BSZ123N08NS3GINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.6W（Ta） 6-SSOT
  
  型号：FDC8601
  仓库库存编号：FDC8601CT-ND
  别名：FDC8601CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7317DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7317DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7317DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 59A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD122N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD122N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD122N10N3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 1.14W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：SI3440DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3440DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3440DV-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 63A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC109N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC109N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC109N10NS3 GCT
  BSC109N10NS3 GCT-ND
  BSC109N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7820DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7820DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7820DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Ta），32A（Tc） 95W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD3682
  仓库库存编号：FDD3682CT-ND
  别名：FDD3682CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Ta） 2.1W（Ta） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDM3622
  仓库库存编号：FDM3622CT-ND
  别名：FDM3622CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），36A（Tc） 3.1W（Ta），62W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD86102
  仓库库存编号：FDD86102CT-ND
  别名：FDD86102CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC070N10NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC070N10NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC070N10NS5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC070N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC070N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC070N10NS3 GCT
  BSC070N10NS3 GCT-ND
  BSC070N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4896DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4896DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4896DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 5.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4455DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4455DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4455DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7818DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7818DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7818DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7818DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7818DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7818DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC057N08NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC057N08NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC057N08NS3 GCT
  BSC057N08NS3 GCT-ND
  BSC057N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），50A（Tc） 135W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD10AN06A0
  仓库库存编号：FDD10AN06A0CT-ND
  别名：FDD10AN06A0CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 8-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），20A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC86102
  仓库库存编号：FDMC86102CT-ND
  别名：FDMC86102CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V,
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