产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 480A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 480A(Tc) 940W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN520N075T2
仓库库存编号:
IXFN520N075T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 48A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN48N50
仓库库存编号:
IXFN48N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Tc) 1560W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB150N65X2
仓库库存编号:
IXFB150N65X2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 90A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 960W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK90N25L2
仓库库存编号:
IXTK90N25L2-ND
别名:622089
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 170A SOT227
详细描述:底座安装 P 沟道 170A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN170P10P
仓库库存编号:
IXTN170P10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 200A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN200N07
仓库库存编号:
IXFN200N07-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 600A(Tc) 940W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN600N04T2
仓库库存编号:
IXTN600N04T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX90N25L2
仓库库存编号:
IXTX90N25L2-ND
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无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 60A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 960W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK60N50L2
仓库库存编号:
IXTK60N50L2-ND
别名:622124
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 200A(Tc) 1040W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK200N10L2
仓库库存编号:
IXTK200N10L2-ND
别名:Q7017004
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 180A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN180N10
仓库库存编号:
IXFN180N10-ND
别名:479462
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 90A(Tc) 1500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN110N60P3
仓库库存编号:
IXFN110N60P3-ND
别名:625715
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 220A(Tc) 1090W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN230N20T
仓库库存编号:
IXFN230N20T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 72A(Tc) 1040W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN82N60P
仓库库存编号:
IXFN82N60P-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 280A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN280N085
仓库库存编号:
IXFN280N085-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 170V 260A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 260A(Tc) 1070W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN320N17T2
仓库库存编号:
IXFN320N17T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 53A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 53A(Tc) 735W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN60N50L2
仓库库存编号:
IXTN60N50L2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 178A(Tc) 830W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN200N10L2
仓库库存编号:
IXTN200N10L2-ND
别名:624413
Q5211084
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 75A(Tc) 560W(Tc) SOT-227B
型号:
IXKN75N60C
仓库库存编号:
IXKN75N60C-ND
别名:498718
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 520W(Tc) TO-268
型号:
IXTT1N450HV
仓库库存编号:
IXTT1N450HV-ND
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 58A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT50M65JFLL
仓库库存编号:
APT50M65JFLL-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 230A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN230N10
仓库库存编号:
IXFN230N10-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 50A(Tc) 1135W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN50N80Q2
仓库库存编号:
IXFN50N80Q2-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK
详细描述:通孔 N 沟道 900mA(Tc) 160W(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXTF1N450
仓库库存编号:
IXTF1N450-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 2500V 5A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 960W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK5N250
仓库库存编号:
IXTK5N250-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,
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