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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN3310A
  仓库库存编号：ZVN3310A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-5
  
  型号：SPD50P03L G
  仓库库存编号：SPD50P03LGINCT-ND
  别名：SPD50P03LGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 7A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 7A（Tc） 45W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP7P06
  仓库库存编号：FQP7P06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS170P
  仓库库存编号：BS170P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Ta），46A（Tc） 3.1W（Ta），8.3W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5053TRPBF
  仓库库存编号：IRFH5053TRPBFCT-ND
  别名：IRFH5053TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9510STRLPBF
  仓库库存编号：IRF9510STRLPBFCT-ND
  别名：IRF9510STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC031N06NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC031N06NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC031N06NS3 GCT
  BSC031N06NS3 GCT-ND
  BSC031N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 92A（Tc） 149W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN7R6-60BS,118
  仓库库存编号：1727-7215-1-ND
  别名：1727-7215-1
  568-9706-1
  568-9706-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32.7A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB33NQ20T,118
  仓库库存编号：1727-4765-1-ND
  别名：1727-4765-1
  568-5942-1
  568-5942-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD110N12N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD110N12N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD110N12N3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 45W（Tc） DPAK
  
  型号：STD7NM60N
  仓库库存编号：497-11042-1-ND
  别名：497-11042-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 140W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB14N30TM
  仓库库存编号：FDB14N30TMCT-ND
  别名：FDB14N30TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 3.8W（Ta），130W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ48NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRFZ48NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRFZ48NSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 30W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：FDU3N40TU
  仓库库存编号：FDU3N40TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 23A（Tc） 3.1W（Ta），110W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9540NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF9540NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF9540NSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 31A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF5305STRLPBF
  仓库库存编号：IRF5305STRLPBFCT-ND
  别名：IRF5305STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 700mA（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9110PBF
  仓库库存编号：IRFD9110PBF-ND
  别名：*IRFD9110PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 280mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVP2106A
  仓库库存编号：ZVP2106A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU110PBF
  仓库库存编号：IRFU110PBF-ND
  别名：*IRFU110PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD16N60M2
  仓库库存编号：497-15461-1-ND
  别名：497-15461-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 63A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 63A（Tc） 107W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP5864NG
  仓库库存编号：NTP5864NGOS-ND
  别名：NTP5864NG-ND
  NTP5864NGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 19A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9Z34NPBF
  仓库库存编号：IRF9Z34NPBF-ND
  别名：*IRF9Z34NPBF
  SP001560182
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 36W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF710PBF
  仓库库存编号：IRF710PBF-ND
  别名：*IRF710PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD014PBF
  仓库库存编号：IRFD014PBF-ND
  别名：*IRFD014PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 4A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9510PBF
  仓库库存编号：IRF9510PBF-ND
  别名：*IRF9510PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V,
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