以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC110N15NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC110N15NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC110N15NS5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2173H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2173H-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB530N15N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB530N15N3GATMA1CT-ND
  别名：IPB530N15N3 GCT
  IPB530N15N3 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI530N15N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI530N15N3GXKSA1-ND
  别名：IPI530N15N3 G
  IPI530N15N3 G-ND
  SP000807642
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 83A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI111N15N3GAKSA1
  仓库库存编号：IPI111N15N3GAKSA1-ND
  别名：IPI111N15N3 G
  IPI111N15N3 G-ND
  SP000680232
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 136A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB060N15N5ATMA1
  仓库库存编号：IPB060N15N5ATMA1-ND
  别名：SP001607814
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Ta） 20W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2174H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2174H-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 15A（Ta） 15W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2175H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2175H-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 90A（Tc） 3.75W（Ta），300W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM90N08-4M8P-E3
  仓库库存编号：SUM90N08-4M8P-E3CT-ND
  别名：SUM90N08-4M8P-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 80V 24A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 7.1A（Ta），24A（Tc） 3.1W（Ta），36W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7448
  仓库库存编号：785-1235-1-ND
  别名：785-1235-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 60A（Tc） 3.75W（Ta），150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP60N10-18P-E3
  仓库库存编号：SUP60N10-18P-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI075N15N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI075N15N3GHKSA1-ND
  别名：IPI075N15N3 G
  IPI075N15N3 G-ND
  SP000414712
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI200N15N3 G
  仓库库存编号：IPI200N15N3 G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD200N15N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD200N15N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD200N15N3 GCT
  IPD200N15N3 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 130A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB065N15N3GE8187ATMA1
  仓库库存编号：IPB065N15N3GE8187ATMA1CT-ND
  别名：IPB065N15N3 G E8187CT
  IPB065N15N3 G E8187CT-ND
  IPB065N15N3GE8187
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB072N15N3GE8187ATMA1
  仓库库存编号：IPB072N15N3GE8187ATMA1CT-ND
  别名：IPB072N15N3 G E8187CT
  IPB072N15N3 G E8187CT-ND
  IPB072N15N3GE8187
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD530N15N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD530N15N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD530N15N3 GCT
  IPD530N15N3 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP200N15N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPP200N15N3GHKSA1-ND
  别名：SP000414714
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V,
• 无铅
• 搜索