产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.5A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7116DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7116DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7116DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 260MA SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 260mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
TN2540N8-G
仓库库存编号:
TN2540N8-GCT-ND
别名:TN2540N8-GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7812DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7812DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7812DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7812DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7812DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7812DN-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR870ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR870ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR870ADP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta),156W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD18502Q5B
仓库库存编号:
296-35629-1-ND
别名:296-35629-1
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7135DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7135DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7135DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta),61A(Tc) 4.1W(Ta),118W(Tc) DPAK-3
型号:
NVD5117PLT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD5117PLT4G-VF01CT-ND
别名:NVD5117PLT4G-VF01CT
NVD5117PLT4GOSCT
NVD5117PLT4GOSCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7145DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7145DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7145DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7141DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7141DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7141DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 28A(Tc) 5.2W(Ta),83.3W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7469DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7469DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7469DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 400V 0.125A SOT89-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 125mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
TP2540N8-G
仓库库存编号:
TP2540N8-GCT-ND
别名:TP2540N8-GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7463DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7463DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7463DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7463DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7463DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7463DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS7650
仓库库存编号:
FDMS7650CT-ND
别名:FDMS7650CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR882DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR882DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR882DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 1.6W(Ta),78W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPHR9003NL,L1Q
仓库库存编号:
TPHR9003NLL1QCT-ND
别名:TPHR9003NL,L1QCT
TPHR9003NL,L1QCT-ND
TPHR9003NLL1QCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 8.3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P08-25L-E3
仓库库存编号:
SUD50P08-25L-E3CT-ND
别名:SUD50P08-25L-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 28A(Tc) 5.2W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7489DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7489DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7489DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50P04-09L-E3
仓库库存编号:
SUD50P04-09L-E3CT-ND
别名:SUD50P04-09L-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR880DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR880DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR880DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N06-09L-E3
仓库库存编号:
SUD50N06-09L-E3CT-ND
别名:SUD50N06-09L-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR470DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR470DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR470DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述:表面贴装 N 沟道 260A(Tc) 960mW(Ta), 170W(Tc) 8-DSOP Advance
型号:
TPW1R306PL,L1Q
仓库库存编号:
TPW1R306PLL1QCT-ND
别名:TPW1R306PLL1QCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 30A
详细描述:表面贴装 P 沟道 30A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ461EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ461EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ461EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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