产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 52A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.3A(Ta) 820mW(Ta),25.5W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS4C08NTAG
仓库库存编号:
NTTFS4C08NTAGOSCT-ND
别名:NTTFS4C08NTAGOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 24A(Tc) 3.5W(Ta),27.8W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7619DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7619DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7619DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-23-6
型号:
ZXMN3A03E6TA
仓库库存编号:
ZXMN3A03E6CT-ND
别名:ZXMN3A03E6CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 3.9W(Ta),15.6W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR836DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR836DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR836DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Ta) 1.2W(Ta) 8-SO
型号:
DMP6023LSS-13
仓库库存编号:
DMP6023LSS-13DICT-ND
别名:DMP6023LSS-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 75A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),75A(Tc) 820mW(Ta), 33W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS4C05NTAG
仓库库存编号:
NTTFS4C05NTAGOSCT-ND
别名:NTTFS4C05NTAGOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),57A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC052N03LS
仓库库存编号:
BSC052N03LSCT-ND
别名:BSC052N03LSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 4.8W(Ta),57W(Tc) PowerPAK? 1212-8S(3.3x3.3)
型号:
SISS27DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISS27DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISS27DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 62W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQ7414AEN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ7414AEN-T1_GE3CT-ND
别名:SQ7414AEN-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 4.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.4A(Ta) 2.11W(Ta) TO-252-3
型号:
ZXMP6A17KTC
仓库库存编号:
ZXMP6A17KTCDICT-ND
别名:ZXMP6A17KTCDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 81W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN3R0-30YL,115
仓库库存编号:
1727-4165-1-ND
别名:1727-4165-1
568-4681-1
568-4681-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL3303TRPBF
仓库库存编号:
IRLL3303PBFCT-ND
别名:*IRLL3303TRPBF
IRLL3303PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 85A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),85A(Tc) 2.5W(Ta),57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC050N04LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC050N04LSGATMA1CT-ND
别名:BSC050N04LS GCT
BSC050N04LS GCT-ND
BSC050N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V LFPAK33
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 91W(Tc) LFPAK33
型号:
PSMN011-60MLX
仓库库存编号:
1727-1505-1-ND
别名:1727-1505-1
568-10985-1
568-10985-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.4A(Tc) 1.7W(Ta),20.8W(Tc) TO-252
型号:
SUD08P06-155L-GE3
仓库库存编号:
SUD08P06-155L-GE3CT-ND
别名:SUD08P06-155L-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6670A
仓库库存编号:
FDS6670ACT-ND
别名:FDS6670ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 21.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21.7A(Tc) 88W(Tc) DPAK
型号:
BUK9275-100A,118
仓库库存编号:
1727-7186-1-ND
别名:1727-7186-1
568-9672-1
568-9672-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3458BDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3458BDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3458BDV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),20A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ100N06LS3 G
仓库库存编号:
BSZ100N06LS3GINCT-ND
别名:BSZ100N06LS3GINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 141W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN2R2-30YLC,115
仓库库存编号:
1727-5298-1-ND
别名:1727-5298-1
568-6728-1
568-6728-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 280mA(Tj) 360mW(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
TN2106K1-G
仓库库存编号:
TN2106K1-GCT-ND
别名:TN2106K1-GCT
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 8.5A POWER
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.5A(Ta) 1.3W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMP4015SPSQ-13
仓库库存编号:
DMP4015SPSQ-13DICT-ND
别名:DMP4015SPSQ-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7416TRPBF
仓库库存编号:
IRF7416TRPBFCT-ND
别名:IRF7416TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 6-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA8051L
仓库库存编号:
FDMA8051LCT-ND
别名:FDMA8051LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
DMP3015LSS-13
仓库库存编号:
DMP3015LSSDICT-ND
别名:DMP3015LSSDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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