产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SO
型号:
SI4850EY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4850EY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4850EY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 14A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Ta),14A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) TO-251A
型号:
AOI4286
仓库库存编号:
785-1647-5-ND
别名:785-1647-5
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V PWRSTAGE POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Ta),42A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS7660AS
仓库库存编号:
FDMS7660ASCT-ND
别名:FDMS7660ASCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 74A(Tc) 83W(Tc)
型号:
SQJ422EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ422EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ422EP-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 90A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90P04P4L04ATMA1
仓库库存编号:
IPD90P04P4L04ATMA1CT-ND
别名:IPD90P04P4L04ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC011N03LS
仓库库存编号:
BSC011N03LSCT-ND
别名:BSC011N03LSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ018NE2LS
仓库库存编号:
BSZ018NE2LSCT-ND
别名:BSZ018NE2LSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),42A(Tc) 2.5W(Ta),78W(Tc) Power56
型号:
FDMS8670S
仓库库存编号:
FDMS8670SCT-ND
别名:FDMS8670SCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 7.4A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.4A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7423DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7423DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7423DN-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 21A(Ta),40A(Tc) 3.1W(Ta) PQFN(5x6)
型号:
IRFH9310TRPBF
仓库库存编号:
IRFH9310TRPBFCT-ND
别名:IRFH9310TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6415DQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6415DQ-T1-E3CT-ND
别名:SI6415DQ-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC016N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC016N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC016N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC016N03MSGINCT
BSC016N03MSGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 120W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2908TRLPBF
仓库库存编号:
IRLR2908TRLPBFCT-ND
别名:IRLR2908TRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 39A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC010NE2LS
仓库库存编号:
BSC010NE2LSCT-ND
别名:BSC010NE2LSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD16403Q5A
仓库库存编号:
296-24249-1-ND
别名:296-24249-1
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5W(Ta),62.5W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIJ478DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIJ478DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIJ478DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 63A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 63A(Tc) 7.5W(Ta),65.2W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N03-09P-E3
仓库库存编号:
SUD50N03-09P-E3CT-ND
别名:SUD50N03-09P-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),35A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) Power56
型号:
FDMS8680
仓库库存编号:
FDMS8680CT-ND
别名:FDMS8680CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3114ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLR3114ZTRPBFCT-ND
别名:IRLR3114ZTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 90A(Tc) 137W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90P03P4L04ATMA1
仓库库存编号:
IPD90P03P4L04ATMA1CT-ND
别名:IPD90P03P4L-04INCT
IPD90P03P4L-04INCT-ND
IPD90P03P4L04ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 12.6A(Ta) 1.79W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO301SP H
仓库库存编号:
BSO301SP HCT-ND
别名:BSO301SP HCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3110ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLR3110ZTRPBFCT-ND
别名:IRLR3110ZTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 32.1A(Tc) 7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4062DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4062DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4062DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 40A
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 75W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD40N06-14L_GE3
仓库库存编号:
SQD40N06-14L_GE3CT-ND
别名:SQD40N06-14L_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN022-30PL,127
仓库库存编号:
1727-5893-ND
别名:1727-5893
568-7512-5
568-7512-5-ND
934063985127
PSMN022-30PL,127-ND
PSMN02230PL127
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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