产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC024NE2LS
仓库库存编号:
BSC024NE2LSCT-ND
别名:BSC024NE2LSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7241TRPBF
仓库库存编号:
IRF7241PBFCT-ND
别名:*IRF7241TRPBF
IRF7241PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7807ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLR7807ZPBFCT-ND
别名:*IRLR7807ZTRPBF
IRLR7807ZPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.5A(Ta),30A(Tc) 2.8W(Ta),36W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6612A
仓库库存编号:
FDD6612ACT-ND
别名:FDD6612ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 3.9W(Ta),29.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR484DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR484DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR484DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),60A(Tc) 2.6W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD16409Q3
仓库库存编号:
296-24253-1-ND
别名:296-24253-1
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC030N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC030N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC030N03LS GCT
BSC030N03LS GCT-ND
BSC030N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7478TRPBF
仓库库存编号:
IRF7478PBFCT-ND
别名:*IRF7478TRPBF
IRF7478PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7469TRPBF
仓库库存编号:
IRF7469PBFCT-ND
别名:*IRF7469TRPBF
IRF7469PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD90N03S4L03ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N03S4L03ATMA1CT-ND
别名:IPD90N03S4L-03INCT
IPD90N03S4L-03INCT-ND
IPD90N03S4L03ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),28A(Tc) 30W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD8451
仓库库存编号:
FDD8451CT-ND
别名:FDD8451CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 49W(Tc) TO-252AA
型号:
RFD12N06RLESM9A
仓库库存编号:
RFD12N06RLESM9ACT-ND
别名:RFD12N06RLESM9ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD040N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD040N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD040N03LGINCT
IPD040N03LGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 63A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 1.6W(Ta),36W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH4R003NL,L1Q
仓库库存编号:
TPH4R003NLL1QCT-ND
别名:TPH4R003NLL1QCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 49A DFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 49A(Ta),85A(Tc) 7.4W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6502
仓库库存编号:
785-1576-1-ND
别名:785-1576-1
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4436DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4436DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4436DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4436DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4436DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4436DY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3707ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR3707ZTRPBFCT-ND
别名:*IRFR3707ZTRPBF
IRFR3707ZPBFCT
IRFR3707ZPBFCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC030N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC030N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC030N03MSG+F30INCT
BSC030N03MSG+F30INCT-ND
BSC030N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC030N03MSGINCT
BSC030N03MSGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6690AS
仓库库存编号:
FDS6690ASCT-ND
别名:FDS6690ASCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.2W(Ta) SOT-89
型号:
CXDM4060N TR
仓库库存编号:
CXDM4060N CT-ND
别名:CXDM4060N CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ035N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ035N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSZ035N03LSGATMA1CT
BSZ035N03LSGINCT
BSZ035N03LSGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS456DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS456DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS456DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7406TRPBF
仓库库存编号:
IRF7406PBFCT-ND
别名:*IRF7406TRPBF
IRF7406PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8113TRPBF
仓库库存编号:
IRF8113PBFCT-ND
别名:*IRF8113TRPBF
IRF8113PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V,
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