以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM50020EL-GE3
  仓库库存编号：SUM50020EL-GE3CT-ND
  别名：SUM50020EL-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB100NF03L-03T4
  仓库库存编号：497-7929-1-ND
  别名：497-7929-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU150N3LLH6
  仓库库存编号：497-12693-5-ND
  别名：497-12693-5
  STU150N3LLH6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD50N06-09L_GE3
  仓库库存编号：SQD50N06-09L_GE3CT-ND
  别名：SQD50N06-09L_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 130A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 293W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN3R3-60PLQ
  仓库库存编号：1727-1058-ND
  别名：1727-1058
  568-10166-5
  568-10166-5-ND
  934067501127
  PSMN3R360PLQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN1R1-30EL,127
  仓库库存编号：1727-5287-ND
  别名：1727-5287
  568-6715
  568-6715-5
  568-6715-5-ND
  568-6715-ND
  934065159127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN1R6-30PL,127
  仓库库存编号：1727-4269-ND
  别名：1727-4269
  568-4900-5
  568-4900-5-ND
  934063916127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP40010EL-GE3
  仓库库存编号：SUP40010EL-GE3-ND
  别名：SUP40010EL-GE3TR
  SUP40010EL-GE3TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 150A SOT78
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN1R9-40PLQ
  仓库库存编号：1727-1851-ND
  别名：1727-1851
  568-11542
  568-11542-ND
  934067498127
  934067606127
  PSMN1R9-40PLQ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
  
  型号：STB80NF03L-04-1
  仓库库存编号：497-12540-5-ND
  别名：497-12540-5
  STB80NF03L-04-1-ND
  STB80NF03L041
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：2N7002E
  仓库库存编号：2N7002ECT-ND
  别名：2N7002ECT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8002-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCC8002-H(TE12LQCT-ND
  别名：TPCC8002-H(TE12LQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8002-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：1246-TPCC8002-H(TE12LQ-CHP
  别名：TPCC8002HTE12LQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 SOT-23-3
  
  型号：ZXMN2069FTA
  仓库库存编号：981-ZXMN2069FTA-CHP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 14A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），25W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7416
  仓库库存编号：785-1583-1-ND
  别名：785-1583-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 620mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
  
  型号：BSR315PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSR315PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSR315PH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.3A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Ta），41A（Tc） 910mW（Ta），22.3W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4943NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4943NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4943NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 260mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89-4-2
  
  型号：BSS87H6327FTSA1
  仓库库存编号：BSS87H6327FTSA1CT-ND
  别名：BSS87H6327FTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
  
  型号：BSR606NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSR606NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSR606NH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN3029LFG-7
  仓库库存编号：DMN3029LFG-7DICT-ND
  别名：DMN3029LFG-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 0.17A SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 150mW（Ta） USM
  
  型号：SSM3K7002CFU,LF
  仓库库存编号：SSM3K7002CFULFCT-ND
  别名：SSM3K7002CFULFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），36A（Tc） 2.1W（Ta），25W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ0909NSATMA1
  仓库库存编号：BSZ0909NSATMA1CT-ND
  别名：BSZ0909NSCT
  BSZ0909NSCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 980mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMS3016SFG-7
  仓库库存编号：DMS3016SFG-7DICT-ND
  别名：DMS3016SFG-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 4SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP89H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP89H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP89H6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.5A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP-6-1
  
  型号：BSL307SPH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSL307SPH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSL307SPH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索