产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.8A(Tj) 1.3W(Ta) ChipFET?
型号:
NTHS4101PT1G
仓库库存编号:
NTHS4101PT1GOSCT-ND
别名:NTHS4101PT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.8A(Tc) 2W(Ta),3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3447CDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3447CDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3447CDV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 3.6W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3460EV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3460EV-T1_GE3CT-ND
别名:SQ3460EV-T1-GE3CT
SQ3460EV-T1-GE3CT-ND
SQ3460EV-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 10.2A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7123DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7123DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7123DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 13.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS4465_F085
仓库库存编号:
FDS4465_F085CT-ND
别名:FDS4465_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.3A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML6401GTRPBF
仓库库存编号:
IRLML6401GTRPBFCT-ND
别名:IRLML6401GTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 530MA 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 530mA(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) 3-DFN1006B(0.6x1)
型号:
NX3008NBKMB,315
仓库库存编号:
1727-1234-1-ND
别名:1727-1234-1
568-10439-1
568-10439-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 510mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV32UP,215
仓库库存编号:
1727-1153-1-ND
别名:1727-1153-1
568-10321-1
568-10321-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7410TRPBF
仓库库存编号:
IRF7410TRPBFCT-ND
别名:IRF7410TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.76A SOT-416
详细描述:表面贴装 P 沟道 760mA(Tj) 301mW(Tj) SC-75,SOT-416
型号:
NTA4151PT1G
仓库库存编号:
NTA4151PT1GOSCT-ND
别名:NTA4151PT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 960mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NTR2101PT1G
仓库库存编号:
NTR2101PT1GOSCT-ND
别名:NTR2101PT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563
详细描述:表面贴装 P 沟道 860mA(Ta) 170mW(Ta) SOT-563
型号:
NTZS3151PT1G
仓库库存编号:
NTZS3151PT1GOSCT-ND
别名:NTZS3151PT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.8A(Tc) 960mW(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2305CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2305CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2305CDS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN304P
仓库库存编号:
FDN304PCT-ND
别名:FDN304PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 48A 6SON
详细描述:P 沟道 20A(Ta) 2.9W(Ta) 6-WSON(2x2)
型号:
CSD25310Q2
仓库库存编号:
296-38915-1-ND
别名:296-38915-1
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.2A(Tc) 1.25W(Ta),1.8W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2336DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2336DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2336DS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 2W(Ta),4.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3473CDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3473CDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3473CDV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 34A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO
型号:
SI4838BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4838BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4838BDY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) 3-DFN1006B(0.6x1)
型号:
PMZB290UN,315
仓库库存编号:
1727-1242-1-ND
别名:1727-1242-1
568-10448-1
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产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 680mA(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) 3-DFN1006B(0.6x1)
型号:
PMZB670UPE,315
仓库库存编号:
1727-1380-1-ND
别名:1727-1380-1
568-10845-1
568-10845-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89
详细描述:表面贴装 P 沟道 760mA(Tj) 313mW(Tj) SC-89-3
型号:
NTE4151PT1G
仓库库存编号:
NTE4151PT1GOSCT-ND
别名:NTE4151PT1GOSCT
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 400mW(Ta) DFN2015H4-3
型号:
DMG3415UFY4-7
仓库库存编号:
DMG3415UFY4-7DICT-ND
别名:DMG3415UFY4-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.3A(Ta) 1W(Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363
型号:
NTJS4151PT1G
仓库库存编号:
NTJS4151PT1GOSCT-ND
别名:NTJS4151PT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 360mW(Ta),3.125W(Tc) 3-DFN1006B(0.6x1)
型号:
PMZB350UPE,315
仓库库存编号:
1727-1243-1-ND
别名:1727-1243-1
568-10449-1
568-10449-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.5A(Ta) 700mW(Ta)
型号:
DMP1045UFY4-7
仓库库存编号:
DMP1045UFY4-7DICT-ND
别名:DMP1045UFY4-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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