产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.9A(Tc) 1.7W(Ta),2.7W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3460DDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3460DDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3460DDV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 0.43A SOT-523
详细描述:表面贴装 P 沟道 430mA(Ta) 150mW(Ta) SOT-523
型号:
DMP22D6UT-7
仓库库存编号:
DMP22D6UTDICT-ND
别名:DMP22D6UTDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 750mW(Ta) SC-70-6
型号:
FDG332PZ
仓库库存编号:
FDG332PZCT-ND
别名:FDG332PZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.1A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2333CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2333CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2333CDS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 12A 6QFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA908PZ
仓库库存编号:
FDMA908PZCT-ND
别名:FDMA908PZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 420mW(Ta) SC-70-6
型号:
FDG327NZ
仓库库存编号:
FDG327NZFSCT-ND
别名:FDG327NZFSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 12V 8.2A 6DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.2A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB15XP,115
仓库库存编号:
1727-1246-1-ND
别名:1727-1246-1
568-10453-1
568-10453-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Tc) 2.3W(Ta),5.7W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5475DDC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5475DDC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5475DDC-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30A(Tc) 3.7W(Ta),39W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS435DNT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS435DNT-T1-GE3CT-ND
别名:SIS435DNT-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 0.43A SOT-523
详细描述:表面贴装 P 沟道 430mA(Ta) 150mW(Ta) SOT-523
型号:
DMP2004TK-7
仓库库存编号:
DMP2004TKDICT-ND
别名:DMP2004TKDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 4.5A SC-70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA406DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA406DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA406DJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 2W(Ta) HUML2020L8
型号:
RF4C050APTR
仓库库存编号:
RF4C050APCT-ND
别名:RF4C050APTRCT
RF4C050APTRCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 16A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 3.6W(Ta),33W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7405BDN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7405BDN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7405BDN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 3W(Ta),6.5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4465ADY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4465ADY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4465ADY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Tc) 1.3W(Ta),3.1W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5853DDC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5853DDC-T1-E3CT-ND
别名:SI5853DDC-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Tc) 2.9W(Ta),15.6W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA425EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA425EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA425EDJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 750mW(Ta) 6-DSBGA
型号:
CSD25304W1015T
仓库库存编号:
296-38024-1-ND
别名:296-38024-1
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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Micro Commercial Co
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 350mW(Ta) SOT-23
型号:
SI3415-TP
仓库库存编号:
SI3415-TPMSCT-ND
别名:SI3415-TPMSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
型号:
TSM650P02CX RFG
仓库库存编号:
TSM650P02CX RFGTR-ND
别名:TSM650P02CX RFGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
型号:
TSM650P02CX RFG
仓库库存编号:
TSM650P02CX RFGCT-ND
别名:TSM650P02CX RFGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
型号:
TSM650P02CX RFG
仓库库存编号:
TSM650P02CX RFGDKR-ND
别名:TSM650P02CX RFGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.78A(Tc) 2.5W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ390UN,315
仓库库存编号:
1727-5861-1-ND
别名:1727-5861-1
568-7442-1
568-7442-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta)
型号:
SSM3J355R,LF
仓库库存编号:
SSM3J355RLFCT-ND
别名:SSM3J355RLFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.7A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
型号:
TSM500P02CX RFG
仓库库存编号:
TSM500P02CX RFGTR-ND
别名:TSM500P02CX RFGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.7A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
型号:
TSM500P02CX RFG
仓库库存编号:
TSM500P02CX RFGCT-ND
别名:TSM500P02CX RFGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V,
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