产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7858ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7858ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7858ADP-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4A(Ta), 5.3A(Tc) 1.7W(Ta),2.7W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3443DDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3443DDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3443DDV-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 20V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2.9A(Tj) 710mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2302DDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2302DDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2302DDS-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 20V SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.2A(Tc) 2W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2351ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2351ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2351ES-T1_GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2301BDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2301BDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2301BDS-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 1.5A(Ta) 625mW(Ta) SC-70-6
型号:
SI1403BDL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1403BDL-T1-GE3CT-ND
别名:SI1403BDL-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6A CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6A(Tc) 5.7W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5457DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5457DC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5457DC-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 7.4A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 7.4A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3425EV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3425EV-T1_GE3CT-ND
别名:SQ3425EV-T1_GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 60A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 60A(Tc) 52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7111EDN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7111EDN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7111EDN-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.9A(Tc) 3W(Tc) TO-236(SOT-23)
型号:
SQ2301ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2301ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2301ES-T1_GE3CT
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MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Tc) 3.3W(Tc) SOT-363,SC70
型号:
SQ1470AEH-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ1470AEH-T1_GE3CT-ND
别名:SQ1470AEH-T1_GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 236mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1069X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1069X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1069X-T1-GE3CT
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MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.9A(Tc) 1.3W(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2334DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2334DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2334DS-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Tc) 1.7W(Ta),2.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4823DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4823DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4823DY-T1-GE3CT
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MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5404BDC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5404BDC-T1-E3CT-ND
别名:SI5404BDC-T1-E3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.1W(Ta),2.7W(Tc) 4-Microfoot
型号:
SI8475EDB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8475EDB-T1-E1CT-ND
别名:SI8475EDB-T1-E1CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.4A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5441BDC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5441BDC-T1-E3CT-ND
别名:SI5441BDC-T1-E3CT
SI5441BDCT1E3
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MOSFET P-CH 12V 60A SO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ411EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ411EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ411EP-T1_GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2.5W(Ta),6.3W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5432DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5432DC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5432DC-T1-GE3CT
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MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc)
型号:
SI7102DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7102DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7102DN-T1-E3CT
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MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(S)
型号:
SIE820DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE820DF-T1-GE3CT-ND
别名:SIE820DF-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 780mW(Ta),1.8W(Tc) 4-Microfoot
型号:
SI8465DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8465DB-T2-E1CT-ND
别名:SI8465DB-T2-E1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 568mW(Ta) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1400DL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1400DL-T1-GE3CT-ND
别名:SI1400DL-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) 8-SO
型号:
SI4829DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4829DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4829DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
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MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.1W(Ta),2.7W(Tc) 4-Microfoot
型号:
SI8473EDB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8473EDB-T1-E1CT-ND
别名:SI8473EDB-T1-E1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Vishay Siliconix,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
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