产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
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分立半导体产品
分立半导体产品
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 7.3A MLP2X2
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.3A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA520PZ
仓库库存编号:
FDMA520PZCT-ND
别名:FDMA520PZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N CH 20V 4.5A SMINI3-G1-B
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Ta) 500mW(Ta) S迷你型3-G1-B
型号:
MTM232230LBF
仓库库存编号:
MTM232230LBFCT-ND
别名:MTM232230LBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON ADV
详细描述:表面贴装 P 沟道 36A(Tc) 42W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN4R712MD,L1Q
仓库库存编号:
TPN4R712MDL1QCT-ND
别名:TPN4R712MDL1QCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS9431A
仓库库存编号:
FDS9431ACT-ND
别名:FDS9431ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 3.4W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS414DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS414DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS414DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 890mW(Ta) U-WLB1515-9
型号:
DMP1011UCB9-7
仓库库存编号:
DMP1011UCB9-7DICT-ND
别名:DMP1011UCB9-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 1.9W(Ta) 6-DSBGA(1x1.5)
型号:
CSD13306WT
仓库库存编号:
296-41134-1-ND
别名:296-41134-1
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6375
仓库库存编号:
FDS6375CT-ND
别名:FDS6375CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),20A(Tc) 2.3W(Ta),41W(Tc) Power33
型号:
FDMC8651
仓库库存编号:
FDMC8651CT-ND
别名:FDMC8651CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 26.6A(Tc) 3W(Ta),6.6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4477DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4477DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4477DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7102DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7102DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7102DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7858ADP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7858ADP-T1-E3CT-ND
别名:SI7858ADP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4866DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4866DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4866DY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323
详细描述:表面贴装 P 沟道 390mA(Ta) 250mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS223PWH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS223PWH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS223PWH6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT-323
详细描述:表面贴装 P 沟道 630mA(Tc) 300mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS209PWH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS209PWH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS209PWH6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS214NWH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS214NWH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS214NWH6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS214NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS214NH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS214N H6327CT
BSS214N H6327CT-ND
BSS214NH6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS205NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS205NH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS205N H6327CT
BSS205N H6327CT-ND
BSS205NH6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML6246TRPBF
仓库库存编号:
IRLML6246TRPBFCT-ND
别名:IRLML6246TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS215PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS215PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS215P H6327CT
BSS215P H6327CT-ND
BSS215PH6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.3A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML6244TRPBF
仓库库存编号:
IRLML6244TRPBFCT-ND
别名:IRLML6244TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-346
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 200mW(Ta) SMT3
型号:
RJK005N03T146
仓库库存编号:
RJK005N03T146CT-ND
别名:RJK005N03T146CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 320mW(Ta) TUMT3
型号:
RTF016N05TL
仓库库存编号:
RTF016N05TLCT-ND
别名:RTF016N05TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.1A(Tc) 600mW(Ta),900mW(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1403CDL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1403CDL-T1-GE3CT-ND
别名:SI1403CDL-T1-GE3CT
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.7A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML6402GTRPBF
仓库库存编号:
IRLML6402GTRPBFCT-ND
别名:IRLML6402GTRPBFCT
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