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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.5A（Ta） 560mW（Ta） PG-SOT363-6
  
  型号：BSV236SPH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSV236SPH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSV236SP H6327CT
  BSV236SP H6327CT-ND
  BSV236SPH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4A（Ta） 900mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2311CX RFG
  仓库库存编号：TSM2311CX RFGTR-ND
  别名：TSM2311CX RFGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4A（Ta） 900mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2311CX RFG
  仓库库存编号：TSM2311CX RFGCT-ND
  别名：TSM2311CX RFGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4A（Ta） 900mW（Ta） SOT-23
  
  型号：TSM2311CX RFG
  仓库库存编号：TSM2311CX RFGDKR-ND
  别名：TSM2311CX RFGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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• Micro Commercial Co
  MOSFET P-CH 12V 16A DFN202
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 16A（Ta） 2.5W（Ta）, 18W（Tc） DFN2020-6J
  
  型号：MCM1216-TP
  仓库库存编号：MCM1216-TPMSCT-ND
  别名：MCM1216-TPMSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 20V SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.9A（Tj） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2302DDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2302DDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2302DDS-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.1A（Ta） 530mW（Ta），6.25W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN48XP,115
  仓库库存编号：1727-6483-1-ND
  别名：1727-6483-1
  568-8412-1
  568-8412-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 20V SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.2A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2351ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2351ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2351ES-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2301BDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2301BDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2301BDS-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.5A（Ta） 625mW（Ta） SC-70-6
  
  型号：SI1403BDL-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1403BDL-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1403BDL-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 6A CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6A（Tc） 5.7W（Tc） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5457DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5457DC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5457DC-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 7.4A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 7.4A（Tc） 5W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SQ3425EV-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ3425EV-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ3425EV-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 60A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 60A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7111EDN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7111EDN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7111EDN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 14A U8FL
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 9A（Ta） 840mW（Ta） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS3A08PZTWG
  仓库库存编号：NTTFS3A08PZTWGOSCT-ND
  别名：NTTFS3A08PZTWGOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23
  
  型号：DMP3120L-7
  仓库库存编号：1034-DMP3120L-7DI-ND
  别名：1034-DMP3120L-7DI
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
  
  型号：BSL211SPH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSL211SPH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSL211SPH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.4A（Ta） 780mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：DMN2041L-7
  仓库库存编号：DMN2041L-7DICT-ND
  别名：DMN2041L-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Ta） 1.2W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMN2028UVT-7
  仓库库存编号：DMN2028UVT-7DICT-ND
  别名：DMN2028UVT-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 700mA（Ta） 500mW（Ta） SC-59-3
  
  型号：DMP2012SN-7
  仓库库存编号：DMP2012SNDICT-ND
  别名：DMP2012SN7
  DMP2012SNDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 1.08W（Ta） SOT-23-3
  
  型号：DMP2225L-7
  仓库库存编号：DMP2225LDICT-ND
  别名：DMP2225LDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC638P
  仓库库存编号：FDC638PCT-ND
  别名：FDC638PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.2A（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6
  
  型号：FDG312P
  仓库库存编号：FDG312PCT-ND
  别名：FDG312PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN308P
  仓库库存编号：FDN308PFSCT-ND
  别名：FDN308PFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.9A（Tc） 3W（Tc） TO-236（SOT-23）
  
  型号：SQ2301ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2301ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2301ES-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.6A（Ta） 1W（Ta） 4-DSBGA（1x1）
  
  型号：CSD25213W10
  仓库库存编号：296-40004-1-ND
  别名：296-40004-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V,
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