产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 26A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 26A(Ta) 1.65W(Ta),50W(Tc) TO-263-2
型号:
2SK3820-DL-1E
仓库库存编号:
2SK3820-DL-1E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A MCPH3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2A(Ta) 1W(Ta) SC-70FL/MCPH3
型号:
MCH3486-TL-H
仓库库存编号:
MCH3486-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 6A CPH6
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 6A(Ta) 1.6W(Ta) 6-CPH
型号:
CPH6442-TL-E
仓库库存编号:
CPH6442-TL-EOSCT-ND
别名:CPH6442-TL-EOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.8A(Ta) 1W(Ta) 3-CPH
型号:
CPH3351-TL-H
仓库库存编号:
CPH3351-TL-HOSCT-ND
别名:CPH3351-TL-HOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 4A CPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 4A(Ta) 1.6W(Ta) 6-CPH
型号:
CPH6354-TL-H
仓库库存编号:
CPH6354-TL-HOSCT-ND
别名:CPH6354-TL-HOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 9A TP-FA
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9A(Ta) 1W(Ta),19W(Tc) DPAK/TP-FA
型号:
SFT1443-TL-H
仓库库存编号:
SFT1443-TL-HOSCT-ND
别名:SFT1443-TL-HOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 100mA(Ta) 150mW(Ta) 3-MCP
型号:
5HN01M-TL-E
仓库库存编号:
5HN01M-TL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 50V 0.07A MCP3
详细描述:表面贴装 P 沟道 50V 70mA(Ta) 150mW(Ta) 3-MCP
型号:
5HP01M-TL-E
仓库库存编号:
5HP01M-TL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 1.5W(Ta),84W(Tc) TO-220AB
型号:
2SK3430-AZ
仓库库存编号:
2SK3430-AZ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 1.5W(Ta),84W(Tc) TO-220AB
型号:
2SK3430-Z-E1-AZ
仓库库存编号:
2SK3430-Z-E1-AZ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 83A(Tc) 1.5W(Ta),100W(Tc) TO-220AB
型号:
2SK3431-AZ
仓库库存编号:
2SK3431-AZ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 83A(Tc) 1.5W(Ta),100W(Tc) TO-220AB
型号:
2SK3431-Z-E1-AZ
仓库库存编号:
2SK3431-Z-E1-AZ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 350V 900mA(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
HAT2131R-EL-E
仓库库存编号:
HAT2131R-EL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5A(Ta) 20W(Tc) PW-MOLD
型号:
2SJ668(TE16L1,NQ)
仓库库存编号:
2SJ668(TE16L1NQ)-ND
别名:2SJ668(TE16L1NQ)
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 10A(Ta) 45W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM10N06CP ROG
仓库库存编号:
TSM10N06CP ROGTR-ND
别名:TSM10N06CP ROGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 10A(Ta) 45W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM10N06CP ROG
仓库库存编号:
TSM10N06CP ROGCT-ND
别名:TSM10N06CP ROGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 10A(Ta) 45W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM10N06CP ROG
仓库库存编号:
TSM10N06CP ROGDKR-ND
别名:TSM10N06CP ROGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 3.8A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL2705TR
仓库库存编号:
IRLL2705CT-ND
别名:*IRLL2705TR
IRLL2705CT
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) 3.8W(Ta),79W(Tc) D2PAK
型号:
94-2310
仓库库存编号:
94-2310-ND
别名:*IRL530NS
IRL530NS
IRL530NS-ND
SP001519078
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8.1A(Tc) 30W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI520N
仓库库存编号:
IRLI520N-ND
别名:*IRLI520N
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI530N
仓库库存编号:
IRLI530N-ND
别名:*IRLI530N
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 23A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 23A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI540N
仓库库存编号:
IRLI540N-ND
别名:*IRLI540N
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 22A(Tc) 37W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLIZ34N
仓库库存编号:
IRLIZ34N-ND
别名:*IRLIZ34N
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 42A(Tc) 110W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU2905
仓库库存编号:
IRLU2905-ND
别名:*IRLU2905
Q853121
SP001553032
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 104A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2505S
仓库库存编号:
IRL2505S-ND
别名:*IRL2505S
产品分类:分立半导体产品,规格:驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V,
含铅
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