产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 1.6A
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 1.8W(Ta) 4-DSBGA
型号:
CSD13302W
仓库库存编号:
CSD13302W-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
无铅
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Texas Instruments
CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 1.8W(Ta) 4-DSBGA(1x1)
型号:
CSD13302WT
仓库库存编号:
CSD13302WT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.6A SCH6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 600mW(Ta) 6-SCH
型号:
SCH2825-TL-E
仓库库存编号:
869-1197-1-ND
别名:869-1197-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 420mW(Ta) SOT-23
型号:
MVGSF1N03LT1G
仓库库存编号:
MVGSF1N03LT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Ta) 830mW(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3851DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3851DV-T1-E3TR-ND
别名:SI3851DV-T1-E3TR
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 15V 1.6A(Ta) 791mW(Ta) 8-SOIC
型号:
TPS1100DR
仓库库存编号:
TPS1100DR-ND
别名:TPS1100DRG4
TPS1100DRG4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Ta) 791mW(Ta) 8-SOIC
型号:
TPS1100DG4
仓库库存编号:
TPS1100DG4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 60V 1.6A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9020
仓库库存编号:
IRFD9020-ND
别名:*IRFD9020
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 60V 1.6A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9024
仓库库存编号:
IRFD9024-ND
别名:*IRFD9024
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 400V 1.6A(Ta) TO-220-3
型号:
IRFI710G
仓库库存编号:
IRFI710G-ND
别名:*IRFI710G
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 1.6A(Ta) SOT-223
型号:
IRLL1905TR
仓库库存编号:
IRLL1905TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1.6A(Ta) 800mW(Ta) SOT-223
型号:
MMFT2N02ELT1
仓库库存编号:
MMFT2N02ELT1OSDKR-ND
别名:MMFT2N02ELT1OSDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.6A(Ta) 420mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
MGSF1N03LT1
仓库库存编号:
MGSF1N03LT1OSCT-ND
别名:MGSF1N03LT1OSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 1.6A(Ta) 830mW(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3853DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3853DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3853DV-T1-E3CT
SI3853DVT1E3
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.6A SC70-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.6A(Ta) 294mW(Ta) SC-70-3(SOT323)
型号:
NTS4172NT1G
仓库库存编号:
NTS4172NT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 1.6A(Ta) 568mW(Ta) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1405DL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1405DL-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 1.6A(Ta) 830mW(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3853DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3853DV-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 1.6A SCH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 1.6A(Ta) 800mW(Ta) 6-SCH
型号:
SCH1334-TL-H
仓库库存编号:
SCH1334-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 1.6A(Ta) 900mW(Ta) 3-CPH
型号:
CPH3360-TL-H
仓库库存编号:
CPH3360-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 1.6A(Ta) 568mW(Ta) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1405DL-T1-E3
仓库库存编号:
SI1405DL-T1-E3CT-ND
别名:SI1405DL-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4310TR
仓库库存编号:
IRFL4310CT-ND
别名:*IRFL4310TR
IRFL4310CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL1006
仓库库存编号:
IRFL1006-ND
别名:*IRFL1006
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL1006TR
仓库库存编号:
IRFL1006TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 1.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF3000
仓库库存编号:
IRF3000-ND
别名:*IRF3000
Q1439458
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL1006PBF
仓库库存编号:
IRFL1006PBF-ND
别名:*IRFL1006PBF
SP001571088
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta),
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