产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 600MA SC89
详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 625mW（Ta） SC-89-3
型号：
FDY300NZ
仓库库存编号：
FDY300NZCT-ND
别名：FDY300NZCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 600mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXMP10A13FTA
仓库库存编号：
ZXMP10A13FCT-ND
别名：ZXMP10A13FCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 600mA（Ta） 550mW（Ta） SOT-23-3
型号：
DMP2004K-7
仓库库存编号：
DMP2004KDICT-ND
别名：DMP2004KDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 0.6A XQFN3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
型号：
PMZ600UNEYL
仓库库存编号：
1727-2323-1-ND
别名：1727-2323-1
568-12609-1
568-12609-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V SC-89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 625mW（Ta） SC-89-3
型号：
FDY302NZ
仓库库存编号：
FDY302NZCT-ND
别名：FDY302NZCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 1.1W（Ta） SOT-223
型号：
ZVNL110GTA
仓库库存编号：
ZVNL110GCT-ND
别名：ZVNL110G
ZVNL110GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN4206A
仓库库存编号：
ZVN4206A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN4206AV
仓库库存编号：
ZVN4206AV-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD210PBF
仓库库存编号：
IRFD210PBF-ND
别名：*IRFD210PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 2W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRF5801TRPBF
仓库库存编号：
IRF5801TRPBFCT-ND
别名：IRF5801TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V XQFN3
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 600mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006B-3
型号：
PMZB600UNEYL
仓库库存编号：
1727-2332-1-ND
别名：1727-2332-1
568-12618-1
568-12618-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 360mW（Ta） X2-DFN0806-3
型号：
DMN2550UFA-7B
仓库库存编号：
DMN2550UFA-7BDICT-ND
别名：DMN2550UFA-7BDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 600mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23
型号：
ZXMP10A13FQTA
仓库库存编号：
ZXMP10A13FQTADICT-ND
别名：ZXMP10A13FQTADICT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V DFN1212-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 600mA（Ta） 400mW（Ta） X1-DFN1212-3
型号：
DMP21D5UFD-7
仓库库存编号：
DMP21D5UFD-7DICT-ND
别名：DMP21D5UFD-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVN4206AVSTZ
仓库库存编号：
ZVN4206AVSCT-ND
别名：ZVN4206AVSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 280mW（Ta） SC-70-3
型号：
SI1302DL-T1-E3
仓库库存编号：
SI1302DL-T1-E3CT-ND
别名：SI1302DL-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 600MA SC-70-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 280mW（Ta） SC-70-3
型号：
SI1302DL-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1302DL-T1-GE3CT-ND
别名：SI1302DL-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 0.6A SOT89
详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 3.5W（Tc） SOT-89/PCP-1
型号：
PCP1405-TD-H
仓库库存编号：
PCP1405-TD-H-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVN4206ASTZ
仓库库存编号：
ZVN4206ASTZ-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 60V 600mA（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9113
仓库库存编号：
IRFD9113-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 200V 600mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD210
仓库库存编号：
IRFD210-ND
别名：*IRFD210
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 600mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVN4206AVSTOA
仓库库存编号：
ZVN4206AVSTOA-ND
别名：Q1047114
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 600mA（Ta） 420mW（Ta） SC-70-6
型号：
FDG361N
仓库库存编号：
FDG361N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 600mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVN4206ASTOA
仓库库存编号：
ZVN4206ASTOA-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 600mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVN4206ASTOB
仓库库存编号：
ZVN4206ASTOB-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 600mA（Ta）,
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