产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),54W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR466DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR466DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR466DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 60W(Tc) D-Pak
型号:
STD50N03L
仓库库存编号:
497-7970-1-ND
别名:497-7970-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR166DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR166DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR166DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 40A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 125W(Tc) D-Pak
型号:
STD45NF75T4
仓库库存编号:
497-4334-1-ND
别名:497-4334-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 40A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 1.35W(Ta),50W(Tc) LPTS(SC-83)
型号:
RSJ400N10TL
仓库库存编号:
RSJ400N10TLCT-ND
别名:RSJ400N10TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 1560W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB40N110Q3
仓库库存编号:
IXFB40N110Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ075N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ075N08NS5ATMA1CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 700mW(Ta),34W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPN4R303NL,L1Q
仓库库存编号:
TPN4R303NLL1QCT-ND
别名:TPN4R303NLL1QCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 40A 1212
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS862DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS862DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS862DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS476DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS476DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS476DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4630DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4630DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4630DY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 40A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF40NF20
仓库库存编号:
497-5805-5-ND
别名:497-5805-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 270W(Tc) HiP247?
型号:
SCT30N120
仓库库存编号:
497-14960-ND
别名:497-14960
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 40A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 60W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP6030BL
仓库库存编号:
FDP6030BL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD40N10-25-E3
仓库库存编号:
SUD40N10-25-E3CT-ND
别名:SUD40N10-25-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3.3W(Ta),31.25W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA34DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA34DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA34DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 71W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
仓库库存编号:
IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT-ND
别名:IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK40A06N1,S4X
仓库库存编号:
TK40A06N1S4X-ND
别名:TK40A06N1,S4X(S
TK40A06N1,S4X-ND
TK40A06N1S4X
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR460DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR460DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR460DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),50W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR436DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR436DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR436DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4630DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4630DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4630DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7634BDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7634BDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7634BDP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 540W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ40N50L2
仓库库存编号:
IXTQ40N50L2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 40A(Tc) 290W(Tc) SOT-227
型号:
APT40N60JCU2
仓库库存编号:
APT40N60JCU2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 20.8W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISA34DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISA34DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISA34DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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