产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET PCH 40V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 40A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD40P3LLH6
仓库库存编号:
STD40P3LLH6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V 40A SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 40A (Tc) 46.2W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SIRB40DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRB40DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRB40DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 40A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP40NF03L
仓库库存编号:
497-3187-5-ND
别名:497-3187-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 80W(Tc) D-Pak
型号:
STD40NF03LT4
仓库库存编号:
STD40NF03LT4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 120V 40A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP40NF12
仓库库存编号:
497-4381-5-ND
别名:497-4381-5
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP065N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHP065N60E-GE3CT-ND
别名:SIHP065N60E-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
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IXYS
MOSFET NCH 850V 40A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 860W(Tc) TO-247
型号:
IXFH40N85X
仓库库存编号:
IXFH40N85X-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
详细描述:表面贴装 P 沟道 40A(Tc) 31W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMP3017SFV-13
仓库库存编号:
DMP3017SFV-13-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333
详细描述:表面贴装 P 沟道 40A(Tc) 31W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMP3017SFV-7
仓库库存编号:
DMP3017SFV-7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 40V 40A TO251A
详细描述:通孔 P 沟道 40A(Tc) 2.5W(Ta),62.5W(Tc) TO-251A
型号:
AOI4185
仓库库存编号:
AOI4185-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 34W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
仓库库存编号:
IPZ40N04S5L7R4ATMA1CT-ND
别名:IPZ40N04S5L7R4ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 105V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 2.3W(Ta),100W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD464
仓库库存编号:
785-1567-1-ND
别名:785-1567-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 30V 40A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 52W(Tc) TO-263
型号:
SKI03087
仓库库存编号:
SKI03087CT-ND
别名:SKI03087CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 48W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
仓库库存编号:
IPZ40N04S5L4R8ATMA1CT-ND
别名:IPZ40N04S5L4R8ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 30V 40A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 64W(Tc) TO-263
型号:
SKI03063
仓库库存编号:
SKI03063CT-ND
别名:SKI03063CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),56.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR403EDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR403EDP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISA66DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISA66DN-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 2.1W(Ta), 46W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ068N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSZ068N06NSATMA1CT-ND
别名:BSZ068N06NSATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),34.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR168DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR168DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),54W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR864DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR864DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 71W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
IPZ40N04S53R1ATMA1
仓库库存编号:
IPZ40N04S53R1ATMA1CT-ND
别名:IPZ40N04S53R1ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7634BDP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7634BDP-T1-E3-ND
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 37.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR820DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR820DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 40A(Tc) 136W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQR40N10-25_GE3
仓库库存编号:
SQR40N10-25_GE3-ND
别名:SQR40N10-25-GE3
SQR40N10-25-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7170DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7170DP-T1-GE3TR-ND
别名:SI7170DP-T1-GE3TR
SI7170DPT1GE3
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc),
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