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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 11.1A（Ta） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：TK11P65W,RQ
  仓库库存编号：TK11P65WRQCT-ND
  别名：TK11P65WRQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.1A（Ta）,
• 无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11.1A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK11A65W,S5X
  仓库库存编号：TK11A65WS5X-ND
  别名：TK11A65W,S5X(M
  TK11A65W,S5X-ND
  TK11A65WS5X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.1A（Ta）,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11.1A（Ta） 1.9W（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMP2021UFDE-13
  仓库库存编号：DMP2021UFDE-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.1A（Ta）,
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• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11.1A（Ta） 1.9W（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMP2021UFDE-7
  仓库库存编号：DMP2021UFDE-7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.1A（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.1A（Ta） 910mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS4802NR2G
  仓库库存编号：NTMS4802NR2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.1A（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：BSO4410
  仓库库存编号：BSO4410INCT-ND
  别名：BSO4410INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.1A（Ta）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：BSO4410T
  仓库库存编号：BSO4410XTINCT-ND
  别名：BSO4410XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.1A（Ta）,
• 无铅
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