以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI60R280C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI60R280C6XKSA1-ND
  别名：IPI60R280C6
  IPI60R280C6-ND
  SP000687554
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R280E6
  仓库库存编号：IPW65R280E6-ND
  别名：IPW65R280E6FKSA1
  SP000795272
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA65R280E6
  仓库库存编号：IPA65R280E6-ND
  别名：IPA65R280E6XKSA1
  SP000795276
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R280P6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R280P6XKSA1-ND
  别名：SP001017076
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R280P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R280P6XKSA1-ND
  别名：SP001017062
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R280C6
  仓库库存编号：IPA60R280C6-ND
  别名：IPA60R280C6XKSA1
  SP000645030
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R280C6
  仓库库存编号：IPW60R280C6-ND
  别名：IPW60R280C6FKSA1
  SP000645032
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R280P6FKSA1
  仓库库存编号：IPW60R280P6FKSA1-ND
  别名：SP001017086
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R280C6
  仓库库存编号：IPB60R280C6CT-ND
  别名：IPB60R280C6CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.8A（Tc） 6.25W（Tc） 8-SO
  
  型号：PHK13N03LT,518
  仓库库存编号：PHK13N03LT,518-ND
  别名：934057754518
  PHK13N03LT /T3
  PHK13N03LT /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-263
  
  型号：IPB60R280P6ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R280P6ATMA1-ND
  别名：SP001364468
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R280E6ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R280E6ATMA1-ND
  别名：SP000795274
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13.8A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R280C6ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R280C6ATMA1CT-ND
  别名：IPB65R280C6CT
  IPB65R280C6CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R280C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R280C6XKSA1-ND
  别名：IPP60R280C6
  IPP60R280C6-ND
  SP000645028
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 32W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R280E6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R280E6XKSA1-ND
  别名：IPA60R280E6
  IPA60R280E6-ND
  SP000797292
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R280E6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R280E6XKSA1-ND
  别名：IPP60R280E6
  IPP60R280E6-ND
  SP000797290
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R280E6
  仓库库存编号：IPP65R280E6-ND
  别名：IPP65R280E6XKSA1
  SP000795268
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R280C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R280C6XKSA1-ND
  别名：IPP65R280C6
  IPP65R280C6-ND
  SP000785058
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI65R280E6XKSA1
  仓库库存编号：IPI65R280E6XKSA1-ND
  别名：SP000795270
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 32W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IPA65R280C6XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R280C6XKSA1-ND
  别名：IPA65R280C6
  IPA65R280C6-ND
  SP000720898
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI65R280C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI65R280C6XKSA1-ND
  别名：IPI65R280C6
  IPI65R280C6-ND
  SP000785056
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R280E6
  仓库库存编号：IPW60R280E6-ND
  别名：IPW60R280E6FKSA1
  SP000797382
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 13.8A（Tc） 104W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R280C6FKSA1
  仓库库存编号：IPW65R280C6FKSA1-ND
  别名：IPW65R280C6
  IPW65R280C6-ND
  SP000785060
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.8A（Tc）,
• 无铅
• 搜索