产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Ta),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(22)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(22)
筛选品牌
ON Semiconductor (4)
Renesas Electronics America (8)
Rohm Semiconductor (1)
Texas Instruments (1)
Toshiba Semiconductor and Storage (8)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK35A65W5,S5X
仓库库存编号:
TK35A65W5S5X-ND
别名:TK35A65W5,S5X(M
TK35A65W5S5X
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Ta),
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Ta) 2.8W(Ta),53W(Tc) 8-VSONP(3x3.15)
型号:
CSD17577Q3AT
仓库库存编号:
296-38336-1-ND
别名:296-38336-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Ta) 35W(Tc) 8-HSOP
型号:
RS1E350BNTB
仓库库存编号:
RS1E350BNTBCT-ND
别名:RS1E350BNTBCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Ta) 270W(Tc) TO-247
型号:
TK35N65W,S1F
仓库库存编号:
TK35N65WS1F-ND
别名:TK35N65W,S1F(S
TK35N65W,S1F-ND
TK35N65WS1F
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 35A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK35A65W,S5X
仓库库存编号:
TK35A65WS5X-ND
别名:TK35A65W,S5X(M
TK35A65W,S5X-ND
TK35A65WS5X
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Ta) 40W(Tc) ATPAK
型号:
ATP212-TL-H
仓库库存编号:
869-1084-1-ND
别名:869-1084-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Ta),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 35A 2WPACK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Ta) 40W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK0353DPA-01#J0B
仓库库存编号:
RJK0353DPA-01#J0BTR-ND
别名:RJK0353DPA-01#J0B-ND
RJK0353DPA-01#J0BTR
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Ta),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Ta) 45W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0332DPB-01#J0
仓库库存编号:
RJK0332DPB-01#J0CT-ND
别名:RJK0332DPB-01#J0CT
RJK0332DPB01J0
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Ta) 58W(Tc) DPAK+
型号:
TK35S04K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TK35S04K3L(T6L1NQ-ND
别名:TK35S04K3L(T6L1NQ
TK35S04K3LT6L1NQ
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Ta) 50W(Tc) ATPAK
型号:
ATP113-TL-H
仓库库存编号:
869-1077-2-ND
别名:869-1077-2
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Ta),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Ta) 45W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0451DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0451DPB-00#J5TR-ND
别名:RJK0451DPB-00#J5-ND
RJK0451DPB-00#J5TR
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Ta),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 35A WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK03M4DPA-00#J5A
仓库库存编号:
RJK03M4DPA-00#J5A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Ta),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 35A(Ta) 55W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0652DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0652DPB-00#J5TR-ND
别名:RJK0652DPB-00#J5-ND
RJK0652DPB-00#J5TR
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Ta),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Ta) 60W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0655DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0655DPB-00#J5TR-ND
别名:RJK0655DPB-00#J5-ND
RJK0655DPB-00#J5TR
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Ta),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Ta) 65W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0856DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0856DPB-00#J5TR-ND
别名:RJK0856DPB-00#J5-ND
RJK0856DPB-00#J5TR
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 35A(Ta) 270W(Tc) TO-247
型号:
TK35N65W5,S1F
仓库库存编号:
TK35N65W5S1F-ND
别名:TK35N65W5,S1F(S
TK35N65W5,S1F-ND
TK35N65W5S1F
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 35A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8003-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCA8003-H(TE12LQM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
详细描述:通孔 N 沟道 60V 35A(Ta) 35W(Tc) TO-220NIS
型号:
2SK3662(F)
仓库库存编号:
2SK3662(F)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 35A 8-SOP ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 35A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8048-H(TE12L,Q
仓库库存编号:
TPCA8048-HTE12LQCT-ND
别名:TPCA8048-HTE12LQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Ta) 30W(Tc) ATPAK
型号:
ATP201-TL-H
仓库库存编号:
ATP201-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 35A(Ta) 40W(Tc) ATPAK
型号:
ATP216-TL-H
仓库库存编号:
ATP216-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Ta),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 35A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 35A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
型号:
RJK5018DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK5018DPK-00#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 35A(Ta),
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号