产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) DPAK-3
型号:
STDV3055L104T4G
仓库库存编号:
STDV3055L104T4G-ND
别名:NTDV3055L104T4G
NTDV3055L104T4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A ECH8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 1.6W(Ta) 8-ECH
型号:
ECH8410-TL-H
仓库库存编号:
ECH8410-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 1.8W(Ta) 8-SOP
型号:
RJK0355DSP-00#J0
仓库库存编号:
RJK0355DSP-00#J0TR-ND
别名:RJK0355DSP-00#J0TR
RJK0355DSP00J0
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A TP
详细描述:通孔 P 沟道 12A(Ta) 1W(Ta),15W(Tc) TP
型号:
SFT1342-W
仓库库存编号:
SFT1342-W-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4874BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4874BDY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK12A50D(STA4QM)-ND
别名:TK12A50D(STA4QM)
TK12A50DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK12A60D(STA4QM)-ND
别名:TK12A60D(STA4QM)
TK12A60DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 12A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A45D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK12A45D(STA4QM)-ND
别名:TK12A45D(STA4QM)
TK12A45DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 100W(Tc) LPTS
型号:
R6012ANJTL
仓库库存编号:
R6012ANJTL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A53D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK12A53D(STA4QM)-ND
别名:TK12A53D(STA4QM)
TK12A53DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 12A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK12A55D(STA4QM)-ND
别名:TK12A55D(STA4QM)
TK12A55DSTA4QM
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 12A(Ta) 1.6W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO080P03NS3EGXUMA1
仓库库存编号:
BSO080P03NS3EGXUMA1CT-ND
别名:BSO080P03NS3E GCT
BSO080P03NS3E GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 12A(Ta) 1.6W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO080P03NS3GXUMA1
仓库库存编号:
BSO080P03NS3GXUMA1CT-ND
别名:BSO080P03NS3 GCT
BSO080P03NS3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 12A(Ta) 1.28W(Ta),56.6W(Tc) DPAK-3
型号:
NTD12N10T4
仓库库存编号:
NTD12N10T4OSCT-ND
别名:NTD12N10T4OSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
含铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
详细描述:通孔 N 沟道 250V 12A(Ta) 40W(Tc) TO-220FN
型号:
RDN120N25
仓库库存编号:
RDN120N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS120N03TB
仓库库存编号:
RSS120N03TBCT-ND
别名:RSS120N03TBCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Ta) 1.28W(Ta),56.6W(Tc) I-Pak
型号:
NTD12N10-1G
仓库库存编号:
NTD12N10-1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) DPAK
型号:
NTD3055-094
仓库库存编号:
NTD3055-094-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) I-Pak
型号:
NTD3055-094-1
仓库库存编号:
NTD3055-094-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) I-Pak
型号:
NTD3055-094-1G
仓库库存编号:
NTD3055-094-1GOS-ND
别名:NTD3055-094-1G-ND
NTD3055-094-1GOS
NTD30550941G
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) DPAK
型号:
NTD3055L104
仓库库存编号:
NTD3055L104-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 12A(Ta) 1.28W(Ta),56.6W(Tc) DPAK
型号:
NTD6600N
仓库库存编号:
NTD6600N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Ta) 1.28W(Ta),56.6W(Tc) I-Pak
型号:
NTD6600N-001
仓库库存编号:
NTD6600N-001-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 12A(Ta) 1.28W(Ta),56.6W(Tc) DPAK
型号:
NTD6600NT4
仓库库存编号:
NTD6600NT4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 12A(Ta) 1.28W(Ta),56.6W(Tc) DPAK
型号:
NTD6600NT4G
仓库库存编号:
NTD6600NT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12A(Ta),
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