产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS4435BZ
仓库库存编号:
FDS4435BZCT-ND
别名:FDS4435BZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4435DY
仓库库存编号:
SI4435DYFSCT-ND
别名:SI4435DYCT
SI4435DYCT-ND
SI4435DYFSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.8A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4425BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4425BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4425BDY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.8A(Ta) 1.54W(Ta) 8-SOP
型号:
DMG4710SSS-13
仓库库存编号:
DMG4710SSS-13DICT-ND
别名:DMG4710SSS-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS4435BZ_F085
仓库库存编号:
FDS4435BZ_F085CT-ND
别名:FDS4435BZ_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.8A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS10P02R2G
仓库库存编号:
NTMS10P02R2GOSCT-ND
别名:NTMS10P02R2GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8.8A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4425BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4425BDY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Ta) 42W(Tc) PG-TO263-2
型号:
SPB08P06PGATMA1
仓库库存编号:
SPB08P06PGATMA1TR-ND
别名:SP000102179
SPB08P06P G
SPB08P06P G-ND
SPB08P06PGINTR
SPB08P06PGINTR-ND
SPB08P06PGXT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 8.8A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS10P02R2
仓库库存编号:
NTMS10P02R2OSCT-ND
别名:NTMS10P02R2OSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Ta),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS4435
仓库库存编号:
FDS4435CT-ND
别名:FDS4435CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6685
仓库库存编号:
FDS6685-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 8.8A(Ta) 1.3W(Ta) 8-TSSOP
型号:
FDW252P
仓库库存编号:
FDW252P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 20V 8.8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 8.8A(Ta) 2W(Ta) 6-TSOP
型号:
AO6408
仓库库存编号:
785-1073-1-ND
别名:785-1073-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.8A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4892DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4892DY-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.8A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4892DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4892DY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 8.8A(Ta) 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6465DQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6465DQ-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 8.8A(Ta) 1.5W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6465DQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6465DQ-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Ta),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Ta) 42W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB08P06P
仓库库存编号:
SPB08P06P-ND
别名:SP000012508
SPB08P06PT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8.8A(Ta),
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