产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-MICROFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.8A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA510PZ
仓库库存编号:
FDMA510PZCT-ND
别名:FDMA510PZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.8A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA507PZ
仓库库存编号:
FDMA507PZCT-ND
别名:FDMA507PZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.8A(Ta) 900mW(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN7022LFG-7
仓库库存编号:
DMN7022LFG-7DICT-ND
别名:DMN7022LFG-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 7.8A(Ta) 80W(Tc) I-Pak
型号:
TK8Q65W,S1Q
仓库库存编号:
TK8Q65WS1Q-ND
别名:TK8Q65W,S1Q(S
TK8Q65WS1Q
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 7.8A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK8A65W,S5X
仓库库存编号:
TK8A65WS5X-ND
别名:TK8A65W,S5X(M
TK8A65WS5X
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.4A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.8A(Ta) 890mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS4916NR2G
仓库库存编号:
NTMS4916NR2G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 7.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 7.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
NDS8434A
仓库库存编号:
NDS8434ACT-ND
别名:NDS8434ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.8A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.8A(Ta) 1W(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4708NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4708NT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.8A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.8A(Ta) 1W(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4708NT3G
仓库库存编号:
NTMFS4708NT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Ta),
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