产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(14)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(14)
筛选品牌
Diodes Incorporated (1)
Fairchild/ON Semiconductor (6)
Vishay Siliconix (7)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.8A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD10N20CTM
仓库库存编号:
FQD10N20CTMCT-ND
别名:FQD10N20CTMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.8A(Tc) 4W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3456BEV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3456BEV-T1_GE3CT-ND
别名:SQ3456BEV-T1-GE3CT
SQ3456BEV-T1-GE3CT-ND
SQ3456BEV-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 7.8A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPE50PBF
仓库库存编号:
IRFPE50PBF-ND
别名:*IRFPE50PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.8A(Tc) 13.6W(Tc)
型号:
SQA410EJ-T1_GE3
仓库库存编号:
SQA410EJ-T1_GE3CT-ND
别名:SQA410EJ-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.8A(Tc) 2W(Ta),3W(Tc)
型号:
SI3447CDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3447CDV-T1-E3CT-ND
别名:SI3447CDV-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.8A(Tc) 2W(Ta),3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3447CDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3447CDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3447CDV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Tc),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.8A(Tc) 1.2W(Ta) 8-SO
型号:
DMP6110SSDQ-13
仓库库存编号:
DMP6110SSDQ-13-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Tc),
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 7.8A(Tc) 50W(Tc) I-Pak
型号:
FQU10N20CTU
仓库库存编号:
FQU10N20CTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.8A(Tc) 4W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3418AEEV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3418AEEV-T1_GE3-ND
别名:SQ3418AEEV-T1-GE3
SQ3418AEEV-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7.8A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPE50
仓库库存编号:
IRFPE50-ND
别名:*IRFPE50
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Tc),
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7.8A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD10N20CTF
仓库库存编号:
FQD10N20CTF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7.8A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.8A(Tc) 100W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF12N60
仓库库存编号:
FQAF12N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7.8A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD10N20CTM_F080
仓库库存编号:
FQD10N20CTM_F080-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 7.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 7.8A(Tc) 2.5W(Ta),32W(Tc) D-Pak
型号:
SFR9024TM
仓库库存编号:
SFR9024TM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.8A(Tc),
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号