产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 27A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF6201TRPBF
仓库库存编号:
IRF6201TRPBFCT-ND
别名:IRF6201TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 27A(Ta) 36W(Tc) ATPAK
型号:
NVATS4A101PZT4G
仓库库存编号:
NVATS4A101PZT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 27A(Ta) 48W(Tc) ATPAK
型号:
NVATS5A112PLZT4G
仓库库存编号:
NVATS5A112PLZT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 27A(Ta) 88.2W(Tc) D2PAK
型号:
NTB30N06T4
仓库库存编号:
NTB30N06T4OS-ND
别名:NTB30N06T4OS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 27A(Ta) 88.2W(Tc) D2PAK
型号:
NTB27N06LT4
仓库库存编号:
NTB27N06LT4OS-ND
别名:NTB27N06LT4OS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 27A(Ta) 88.2W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP27N06L
仓库库存编号:
NTP27N06LOS-ND
别名:NTP27N06LOS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 27A(Ta) 88.2W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP27N06
仓库库存编号:
NTP27N06OS-ND
别名:NTP27N06OS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 27A(Ta) 88.2W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP30N06
仓库库存编号:
NTP30N06OS-ND
别名:NTP30N06OS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Ta),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 27A(Ta) 88.2W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP27N06G
仓库库存编号:
NTP27N06GOS-ND
别名:NTP27N06GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 27A(Ta) 88.2W(Tc) D2PAK
型号:
NTB30N06G
仓库库存编号:
NTB30N06G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 27A(Ta) 88.2W(Tc) D2PAK
型号:
NTB30N06T4G
仓库库存编号:
NTB30N06T4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 27A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8005-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCA8005-H(TE12LQM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 27A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8021-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCA8021-H(TE12LQM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 27A(Ta) 1.65W(Ta),65W(Tc) SMP-FD
型号:
2SJ665-DL-E
仓库库存编号:
2SJ665-DL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 36V 27A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 36V 27A(Ta) 3.6W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4310
仓库库存编号:
785-1546-1-ND
别名:785-1546-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Ta),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 27A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 27A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
型号:
RJL6018DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJL6018DPK-00#T0-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 27A(Ta),
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