产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK8A60W5,S5VX
仓库库存编号:
TK8A60W5S5VX-ND
别名:TK8A60W5,S5VX(M
TK8A60W5S5VX
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4411
仓库库存编号:
785-1284-1-ND
别名:785-1284-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 1.46W(Ta) 8-SO
型号:
DMN4800LSSL-13
仓库库存编号:
DMN4800LSSL-13DICT-ND
别名:DMN4800LSSL-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Ta) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R8008ANX
仓库库存编号:
R8008ANX-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 2W(Ta) HUML2020L8
型号:
RF4E080BNTR
仓库库存编号:
RF4E080BNTRCT-ND
别名:RF4E080BNTRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 3.2W(Ta) 8-SO
型号:
STS8N6LF6AG
仓库库存编号:
497-17150-1-ND
别名:497-17150-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
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Micro Commercial Co
MOSFET P-CH 12V 8A DFN202
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Ta) DFN2020-6J
型号:
MCM1208-TP
仓库库存编号:
MCM1208-TPMSCT-ND
别名:MCM1208-TPMSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 80W(Tc) DPAK
型号:
TK8P60W5,RVQ
仓库库存编号:
TK8P60W5RVQCT-ND
别名:TK8P60W5RVQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 660mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)
型号:
DMN4020LFDE-13
仓库库存编号:
DMN4020LFDE-13DITR-ND
别名:DMN4020LFDE-13DITR
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 8A 6DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB13XNE,115
仓库库存编号:
1727-1365-1-ND
别名:1727-1365-1
568-10810-1
568-10810-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 2.8W(Ta) 6-DFN-EP(2x2)
型号:
AON2240
仓库库存编号:
785-1390-1-ND
别名:785-1390-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-DFN(3x2)
型号:
AON4421
仓库库存编号:
785-1573-1-ND
别名:785-1573-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 30V 8A DFN 2x2B
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 2.8W(Ta) 6-DFN-EP(2x2)
型号:
AON2410
仓库库存编号:
785-1396-2-ND
别名:785-1396-2
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 8A 6LDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 2.8W(Ta) 6-DFN-EP(2x2)
型号:
AON2420
仓库库存编号:
785-1492-1-ND
别名:785-1492-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 8A MCPH6
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 1.5W(Ta) SC-88FL/ MCPH6
型号:
MCH6448-TL-W
仓库库存编号:
MCH6448-TL-W-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 3.6W(Ta),39W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5826NLT3G
仓库库存编号:
NVMFS5826NLT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 3.6W(Ta),39W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5826NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5826NLWFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 800mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS4939NR2G
仓库库存编号:
NTMS4939NR2G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 3.6W(Ta),39W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5826NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS5826NLT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 3.6W(Ta),39W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5826NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5826NLWFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Ta) 27W(Tc) DPAK+
型号:
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
仓库库存编号:
TJ8S06M3L(T6L1NQ)-ND
别名:TJ8S06M3L(T6L1NQ)
TJ8S06M3LT6L1NQ
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 25W(Tc) DPAK+
型号:
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
仓库库存编号:
TK8S06K3L(T6L1NQ)-ND
别名:TK8S06K3L(T6L1NQ)
TK8S06K3LT6L1NQ
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 8A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 15W(Tc) CPT3
型号:
RSD080N06TL
仓库库存编号:
RSD080N06TL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 45V 8A CPT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Ta) 15W(Tc) CPT3
型号:
RSD080P05TL
仓库库存编号:
RSD080P05TL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 8V 8A DFN 2X2B
详细描述:表面贴装 N 沟道 8V 8A(Ta) 2.8W(Ta) 6-DFN-EP(2x2)
型号:
AON2400
仓库库存编号:
785-1422-1-ND
别名:785-1422-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Ta),
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