产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 11.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4712
仓库库存编号:
785-1051-1-ND
别名:785-1051-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 13A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7882DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7882DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7882DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 13A(Ta) 1.7W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7366DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7366DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7366DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 13A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7459DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7459DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7459DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL
详细描述:通孔 N 沟道 450V 13A(Ta) 100W(Tc) TO-220FL
型号:
2SK3403(Q)
仓库库存编号:
2SK3403(Q)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 600V 13A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
2SK4016(Q)
仓库库存编号:
2SK4016(Q)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8026(TE12L,Q,M)
仓库库存编号:
TPC8026(TE12L,Q,M)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 700mW(Ta),22W(Tc) 8-TSON
型号:
TPCC8003-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCC8003-H(TE12LQMCT-ND
别名:TPCC8003-H(TE12LQMCT
TPCC8003HTE12LQM
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4406DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4406DY-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4406DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4406DY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4858DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4858DY-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4858DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4858DY-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 13A(Ta) 1.7W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7368DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7368DP-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 13A(Ta) 1.7W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7368DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7368DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 13A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7402DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7402DN-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 13A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7402DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7402DN-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 13A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7495DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7495DP-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 13A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7495DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7495DP-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 13A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7882DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7882DP-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 700mW(Ta),18W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPCC8065-H,LQ(S
仓库库存编号:
TPCC8065-HLQ(S-ND
别名:TPCC8065-HLQ(S
TPCC8065HLQS
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4720
仓库库存编号:
785-1296-1-ND
别名:785-1296-1
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7805A
仓库库存编号:
IRF7805A-ND
别名:*IRF7805A
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7805ATR
仓库库存编号:
IRF7805ATR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
BSO4420
仓库库存编号:
BSO4420INCT-ND
别名:BSO4420INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7413ZTR
仓库库存编号:
IRF7413ZTR-ND
别名:SP001551338
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Ta),
含铅
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